| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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17年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
2000 |
20+ |
公司现货￥只做原装进口/假一赔十 |
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14年
留言
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INFINEONTO-263 |
10000 |
26+ |
原装现货 |
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3年
留言
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INFINEONSOT263 |
50000 |
25+ |
一手货源诚信靠谱现货 |
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12年
留言
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INFINEONTO-263 |
22000 |
26+ |
有挂有货原装正品现货,假一赔十 |
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INFINEONN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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4年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
8575 |
2550+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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13年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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7年
留言
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INFINEONTO-263 |
4000 |
20+ |
全新原装公司现货 |
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8年
留言
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INFINEON/英飞凌SMD |
30000 |
24+ |
专业代理销售芯片 授权分销全系列产品 |
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6年
留言
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INFINEON/英飞凌明嘉莱只做原装正品现货 |
2510000 |
21+ |
TO-263 |
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14年
留言
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VBSEMI/微碧半导体TO-263 |
8000 |
26+ |
全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
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13年
留言
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INFINEONTO263 |
6000 |
25+ |
全新原装现货、诚信经营! |
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5年
留言
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InfineonTO-263 |
33000 |
23+ |
正规渠道,只有原装! |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)TO263 |
16316 |
24+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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8年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-263 |
21000 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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12年
留言
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INFINEONTO-263 |
11769 |
23+ |
全新原装正品现货可开票 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-263 |
21000 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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4年
留言
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Infineon(英飞凌) |
25650 |
23+ |
新到现货,只做原装进口 |
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4年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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1年
留言
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INFINEONTO-263 |
100 |
1141+ |
上传都是百分之百进口原装现货 |
IPB80N06采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IPB80N06图片
IPB80N06S4-07价格
IPB80N06S4-07价格：￥2.7869品牌：Infineon
生产厂家品牌为Infineon的IPB80N06S4-07多少钱，想知道IPB80N06S4-07价格是多少？参考价：￥2.7869。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IPB80N06S4-07批发价格及采购报价，IPB80N06S4-07销售排行榜及行情走势，IPB80N06S4-07报价。
IPB80N06S2L-05资讯
IPB80N06S2L
IPB80N06S2L
IPB80N06S2L-06
型号：IPB80N06S2L-06 制造商：Infineon 数据列表：IPB,IPP80N06S2L-06 标准包装：1,000 类别：分离式半导体产品 家庭：FET - 单 系列：OptiMOS™ FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss)：55V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：80A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
IPB80N06S2L-05中文资料Alldatasheet PDF
更多IPB80N06S205功能描述:MOSFET MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IPB80N06S2-05功能描述:MOSFET OptiMOS PWR TRANST 55V 80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IPB80N06S205ATMA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
IPB80N06S207功能描述:MOSFET MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IPB80N06S2-07功能描述:MOSFET OptiMOS PWR TRANST 55V 80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IPB80N06S207ATMA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
IPB80N06S207ATMA2制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 80A 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET - Tape and Reel
IPB80N06S208功能描述:MOSFET MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IPB80N06S2-08功能描述:MOSFET OptiMOS PWR TRANST 55V 80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IPB80N06S2-09功能描述:MOSFET OptiMOS PWR TRANST 55V 80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
