型号：IPB80N06S2L-06
制造商：Infineon
数据列表：IPB,IPP80N06S2L-06
标准包装：1,000
类别：分离式半导体产品
家庭：FET - 单
系列：OptiMOS™
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：80A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：6 毫欧 @ 69A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：2V @ 180μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：150nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds：3800pF @ 25V
功率 - 最大：250W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装：PG-TO263-3
包装：带卷 (TR)
其它名称：SP000218163
封装：TO-263
数量：18200
单价：面议
备注：深圳市勤思达科技有限公司主营MOSFET管，一级封装Infineon系列，公司现货库存供应IPB80N06S2L-06，正品原装，品质保证，大量现货库存，本公司为一般纳税人，可以开17%增值税票，欢迎广大客户朋友咨询洽谈。
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