型号：IPB80N06S2L
品牌：INFINEON
参数说明：
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 55V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 4.7 毫欧 @ 80A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 190nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5000pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 300W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PG-TO263-3-2
深圳市中意法电子科技有限公司
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