OptiMOS짰-T Power-Transistor

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OptiMOS-T2 Power-Transistor

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丝印：4N0605；Package：PG-TO263-3-2；OptiMOS-T2 Power-Transistor

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OptiMOS-T2 Power-Transistor

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OptiMOS-T2 Power-Transistor

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OptiMOS-T2 Power-Transistor

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20V-650V汽车级MOSFET

• • N-channel - Enhancement mode\n • • Automotive AEC Q101 qualified\n • • MSL1 up to 260°C peak reflow\n • • 175°C operating temperature\n • • Green package (lead free)\n • • Ultra low Rds(on)\n • • 100% Avalanche tested\n\n优势:\n• world's lowest RDS at 55V (on)  in planar technology\n • highest;

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55 V、N 沟道、最大 7.7 mΩ、汽车 MOSFET、D2PAK、OptiMOS ™

• • N-channel - Enhancement mode\n • • Automotive AEC Q101 qualified\n • • MSL1 up to 260°C peak reflow\n • • 175°C operating temperature\n • • Green package (lead free)\n • • Ultra low Rds(on)\n • • 100% Avalanche tested\n\n优势:\n• world's lowest RDS at 55V (on)  in planar technology\n • highest;

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20V-650V汽车级MOSFET

• N-channel - Enhancement mode\n • • Automotive AEC Q101 qualified\n • • MSL1 up to 260°C peak reflow\n • • 175°C operating temperature\n • • Green package (lead free)\n • • Ultra low Rds(on)\n • • 100% Avalanche tested\n\n优势:\n• world's lowest RDS at 55V (on)  in planar technology\n • highest c;

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包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 描述：MOSFET

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