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IPB80P04P4L-04	文件：300 bytes Page：1 Pages	-40V、P 沟道、最大 4.4mΩ、汽车 MOSFET、D2PAK、OptiMOS ™ -P2 • P沟道逻辑电平增强模式\n • 符合汽车 AEC Q101 标准\n • MSL1 最高回流温度可达 260°C 峰值\n • 工作温度为 175°C\n • 绿色封装（符合 RoHS 标准）\n • 100% Avalanche 测试\n • 支持 PPAP 的设备;	Infineon 英飞凌	Infineon
IPB80P04P4L-04	文件：316.85 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS-P2 Power-Transistor 文件：316.85 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
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技术参数

IDpulsmax：
-320 A
Ptotmax：
125 W
QG(typ @10V) max：
135 nC
RDS (on)(@10V) max：
4.4 mΩ
RthJCmax：
1.2 K/W
VDSmax：
-40 V
VGS(th)max：
-2.2 V
VGS(th)min：
-1.2 V
Package：
D2PAK (PG-TO263-3)
Operating Temperature：
-55 °C to 175 °C
Technology：
OptiMOS™-P2
Polarity：
P
Qualification：
Automotive
Budgetary Price €/1k：
1.19

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IPB80P04P4L-04供应商更新时间2025-9-26 16:21:00

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