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IPB80N06S4-05

丝印:4N0605;Package:PG-TO263-3-2;OptiMOS-T2 Power-Transistor

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Infineon

英飞凌

IPI80N06S4-05

丝印:4N0605;Package:PG-TO262-3-1;OptiMOS-T2 Power-Transistor

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Infineon

英飞凌

IPP80N06S4-05

丝印:4N0605;Package:PG-TO220-3-1;OptiMOS-T2 Power-Transistor

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Infineon

英飞凌

详细参数

  • 型号:

    4N0605

  • 功能描述:

    MOSFET N-Channel 60V MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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