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RMP4N60IP	文件：1.9839 Mbytes Page：11 Pages	Marking：4N60；Package：TO-251；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET FEATURES •LowCrss •Lowgatecharge •Fastswitching •ImprovedESDcapability •Improveddv/dtcapability •100%avalancheenergytest	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
RMP4N60LD	文件：1.9839 Mbytes Page：11 Pages	Marking：4N60；Package：TO-252；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET FEATURES •LowCrss •Lowgatecharge •Fastswitching •ImprovedESDcapability •Improveddv/dtcapability •100%avalancheenergytest	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
RMP4N60T2	文件：1.9839 Mbytes Page：11 Pages	Marking：4N60；Package：TO-220；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET FEATURES •LowCrss •Lowgatecharge •Fastswitching •ImprovedESDcapability •Improveddv/dtcapability •100%avalancheenergytest	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
RMP4N60TI	文件：1.9839 Mbytes Page：11 Pages	Marking：4N60；Package：TO-220F；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET FEATURES •LowCrss •Lowgatecharge •Fastswitching •ImprovedESDcapability •Improveddv/dtcapability •100%avalancheenergytest	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
SVF4N60CADTR	文件：411.7 Kbytes Page：12 Pages	Marking：4N60CAD；Package：TO-252-2L；4A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERALDESCRIPTION SVF4N60CAF/K/D/T/MN/MJisanN-channelenhancementmode powerMOSfieldeffecttransistorwhichisproducedusingSilan proprietaryF-CellTMhigh-voltageplanarVDMOStechnology.The improvedprocessandcellstructurehavebeenespeciallytailoredto minimizeon-stateres	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士兰微杭州士兰微电子股份有限公司	SILAN
SVF4N60CAMJ	文件：411.7 Kbytes Page：12 Pages	Marking：4N60CAMJ；Package：TO-251J-3L；4A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERALDESCRIPTION SVF4N60CAF/K/D/T/MN/MJisanN-channelenhancementmode powerMOSfieldeffecttransistorwhichisproducedusingSilan proprietaryF-CellTMhigh-voltageplanarVDMOStechnology.The improvedprocessandcellstructurehavebeenespeciallytailoredto minimizeon-stateres	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士兰微杭州士兰微电子股份有限公司	SILAN
SVF4N60CAMN	文件：411.7 Kbytes Page：12 Pages	Marking：4N60CAMN；Package：TO-251N-3L；4A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERALDESCRIPTION SVF4N60CAF/K/D/T/MN/MJisanN-channelenhancementmode powerMOSfieldeffecttransistorwhichisproducedusingSilan proprietaryF-CellTMhigh-voltageplanarVDMOStechnology.The improvedprocessandcellstructurehavebeenespeciallytailoredto minimizeon-stateres	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士兰微杭州士兰微电子股份有限公司	SILAN
YFW4N60A1	文件：1.06546 Mbytes Page：7 Pages	Marking：4N60AT；Package：TO-220AB；4A 600V N-channel enhanced field effect transistor	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
YFW4N60A2	文件：1.06546 Mbytes Page：7 Pages	Marking：4N60AF；Package：TO-220F；4A 600V N-channel enhanced field effect transistor	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
YFW4N60A3	文件：1.06546 Mbytes Page：7 Pages	Marking：4N60AS；Package：TO-263；4A 600V N-channel enhanced field effect transistor	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE

详细参数

型号：
4N60
制造商：
UTC-IC
制造商全称：
UTC-IC
功能描述：
4 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多4N60供应商更新时间2021-9-16 14:01:00

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