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丝印:4NF20L;Package:SOT223;N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET GENERAL FEATURES Vos = 200V ' b=1.0A @Ves = 10V | Roson) £ 1.35Q @Ves = 10V | SOT-223 package. 文件:3.04984 Mbytes 页数:5 Pages | TECHPUBLIC 台舟电子 | TECHPUBLIC | ||
丝印:4NF20L;Package:SOT223;N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Vos = 200V Ib=10A @Ves = 10V Rosion) £1.35Q @Ves = 10V SOT-223 package. 文件:3.04591 Mbytes 页数:5 Pages | TECHPUBLIC 台舟电子 | TECHPUBLIC |
详细参数
- 型号:
4NF20L
- 功能描述:
MOSFET N-Ch 200V 1.1 Ohm 1A LGC STripFET II
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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更新时间2026-3-10 14:14:00
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