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4NQ10L	文件：440.58 Kbytes Page：14 Pages	型号：PHT4NQ10LT；Package：SOT223；N-channel TrenchMOS logic level FET 1.1Generaldescription LogiclevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedforusein computing,communications,consumerandindustrialapplications. 1.2Featuresandbenefits Lowcond	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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4NQ10L

文件：440.58 Kbytes

Page：14 Pages

型号：PHT4NQ10LT；Package：SOT223；N-channel TrenchMOS logic level FET

1.1Generaldescription LogiclevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedforusein computing,communications,consumerandindustrialapplications. 1.2Featuresandbenefits Lowcond

安世安世半导体(中国)有限公司

NEXPERIA

详细参数

型号：
4NQ10L
功能描述：
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多4NQ10L供应商更新时间2025-7-29 10:12:00

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