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IPB80N06S2-07	文件：164.14 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPB80N06S2-07	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V-650V汽车级MOSFET; • N-channel - Enhancement mode\n • Automotive AEC Q101 qualified\n • MSL1 up to 260°C peak reflow\n • 175°C operating temperature\n • Green package (lead free)\n • Ultra low Rds(on)\n • 100% Avalanche tested\n\n优势:\n• world's lowest RDS at 55V (on) in planar technology\n • highest current capability\n • lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency\n • robust packages with superior quality and reliability\n • Optimized total gate charge enables smaller driver output stages\n;	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPI80N06S2-07	文件：164.14 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOSPower-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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SPB80N06S2-07	文件：1.0572 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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SPP80N06S2-07	文件：998.57 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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技术参数

OPN：
IPB80N06S207ATMA4
Qualification：
Automotive
Package name：
D2PAK (PG-TO263-3)
VDS max：
55 V
RDS (on) @10V max：
6.3 mΩ
ID @25°C max：
80 A
QG typ @10V：
86 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
2.1 V
VGS(th) max：
4 V
Technology：
OptiMOS™

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更多IPB80N06S2-07供应商更新时间2025-7-28 15:14:00

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