代理原装正品IPD040N03LG 天泽恒电子
特点 •快速开关MOSFET的开关电源 •优化技术的DC / DC转换器 •符合到JEDEC1）为目标的应用 •N沟道，逻辑电平 •优秀的栅极电荷x R DS（ON）产品（FOM） •非常低的导通电阻R DS（ON），特点 •快速开关MOSFET的开关电源 •优化技术的DC / DC转换器 •符合到JEDEC1）为目标的应用 •N沟道，逻辑电平 •优秀的
查看详情2013-7-9 13:10:00
代理LTC4054完全替代SE9016 天泽恒电子
特点描述ü APPLICATIOU小号 典型应用ü 独立线性 锂离子电池充电器 采用ThinSOT封装的热调节 ，LTC和LT是凌力尔特公司的注册商标。 n可编程充电电流高达800mA N无MOSFET，检测电阻或隔离 二极管 n完善ThinSOTTM封装的线性充电器 单节锂离，特点描述ü APPLICATIOU小号 典型应用ü 独立线性 锂离子电池充电器 采用ThinSOT封装的热调节 ，LTC和LT是凌力尔特公司的注册商标。 n可编程充电电流高达800mA N无M
查看详情2013-7-9 13:09:00供应30CPQ150PBF 天泽恒电子
由 Google 自动翻译 中文(简体) 英语 日语 您使用的是内部测试版语言。该语言的相关内容仍处于早期开发阶段，但我们想让您先睹为快！" aria-label="您使用的是内部测试版语言。该语言的相关内容仍处于早期开发阶段，但我们想让您先睹为快！"> Alpha 特点 •175°C，由 Google 自动翻译 中文(简体) 英语 日语 您使用的是内部测试版语言。该语言的相关内容仍处于早期开发阶段，但我们想让您先睹为快！" aria-label="您使用的是内部测试版语言。该语言的相关内容
查看详情2013-7-9 13:09:00代理内存芯片H5PS5162GFR-Y5C 天泽恒电子
1。描述 1.1设备特点及订购信息 1.1.1主要特点 •VDD，VDDQ = 1.8+ / - 0.1V •所有输入和输出与SSTL_18接口兼容 •全差分时钟输入（CK/ CK）操作 •双数据速率接口 •源同步数据处理对齐，1。描述 1.1设备特点及订购信息 1.1.1主要特点 •VDD，VDDQ = 1.8+ / - 0.1V •所有输入和输出与SSTL_18接口兼容 •全差分时钟
查看详情2013-7-9 13:08:00代理商DAP202U 天泽恒电子
DAP202U 应用外形尺寸DAP202U 应用外形尺寸（单位：mm）土地面积图（单位：mm） 超高速开关 特点 1）小型模具类型。 （UMD3） 2）高可靠性。 &，DAP202U 应用外形尺寸DAP202U 应用外形尺寸（单位：mm）土地面积图（单位：mm） 超高速
查看详情2013-7-9 13:07:00代理商ML7204-001GAZ03B 天泽恒电子
特点 •电源电压 数字电源电压（DVDD0，1，2）：3.0〜3.6 V 模拟电源电压（AVDD）：3.0〜3.6 V •语音编解码器： G.729.A（8 kbps的）/ G.711（64 kbps）的μ律和A-law（支持单独设置传输，特点 •电源电压 数字电源电压（DVDD0，1，2）：3.0〜3.6 V 模拟电源电压（AVDD）：3.0〜3.6 V •语音编解码器： G.72
查看详情2013-7-9 13:07:00代理SP232ACP 天泽恒电子
从单5V电源工作 n会见所有的RS-232D和V.28 产品规格 N多驱动器和接收器 n小的电荷泵电容器 - 0.1μF的 Ň使用0.1μF的和100MF 电容器 n高数据传输率 - 120kbps的负载下的 n高输出转换速率 - 10V/ms的负载下的 n低功耗，从单5V电源工作 n会见所有的RS-232D和V.28 产品规格 N多驱动器和接收器 n小的电荷泵电容器 - 0.1μF的 Ň使用0.1μF的和100MF 电容器 n高数据传输率
查看详情2013-7-9 13:06:00代理LC4064V74TN-10I 天泽恒电子
特点 ■高性能 •fMAX的400MHz的最高工作频率 •TPD =2.5ns的传播延迟 •多达四个全局时钟引脚与可编程 时钟极性控制 •最多80点输出 ■易于设计 •增强的宏单元与个别时钟， 复位，预置和时钟使能控制 ，特点 ■高性能 •fMAX的400MHz的最高工作频率 •TPD =2.5ns的传播延迟 •多达四个全局时钟引脚与可编程 时钟极性控制 •最多80点
查看详情2013-7-9 13:06:00代理原装正品TL2844 天泽恒电子
优化为Off-Line和直流 - 直流 转换器 低启动电流（，优化为Off-Line和直流 - 直流 转换器 低启动电流（
查看详情2013-7-9 13:05:00IR代理商IRGP20B60PDPBF 天泽恒电子
特点 •“不扩散核武器条约”技术，正温度系数 •较低的VCE（SAT） •更低的寄生电容 •最少的尾电流 •HEXFRED超快速软恢复合作组二极管 •更严格的参数分布 •更高的可靠性 优点 R，特点 •“不扩散核武器条约”技术，正温度系数 •较低的VCE（SAT） •更低的寄生电容 •最少的尾电流 •HEXFRED超快速软恢复合作
查看详情2013-7-9 13:05:00代理仙童MOS管7N65 天泽恒电子
7安培，650伏 N-沟道功率MOSFET 说明 该UTC7N65是一种高电压的MOSFET，并且被设计为 有更好的特性，如快速切换时间，低栅极 电荷，低通态电阻，具有较高的崎岖雪崩 的特点。这通常用在高速功率MOSFET 开关电源的应用，PWM马达控制，高 高效，7安培，650伏 N-沟道功率MOSFET 说明 该UTC7N65是一种高电压的MOSFET，并且被设计为 有更好的特性，如快速切换时间，低栅极 电荷，低通态电阻，具有较高的崎岖
查看详情2013-7-9 13:04:00代理APW7080KAI-TRG 天泽恒电子
特点 ·从4.5V至26V的宽输入电压 ·输出电流高达4A ·可调输出电压从0.8V至90％VIN - 0.8V参考电压 - ±2.5％的系统精度 ·80MW集成的P-沟道功率MOSFET ·高效率高达91％ 脉冲SkippingMode（PSM）/ PWMModeOperation，特点 ·从4.5V至26V的宽输入电压 ·输出电流高达4A ·可调输出电压从0.8V至90％VIN - 0.8V参考电压 - ±2.5％的系统精度 ·80MW集成的P-沟道功率MOSFET ·高
查看详情2013-7-9 13:03:00供应TLE6285G 天泽恒电子
1.1功能特点。 •单线收发器，适用于LIN协议 •传输速率高达20 kBaud •兼容LIN规范的 •兼容ISO 9141功能 •极低的电流消耗在睡眠模式 •控制输出电压调节器 •到地面，电池的短路保，1.1功能特点。 •单线收发器，适用于LIN协议 •传输速率高达20 kBaud •兼容LIN规范的 •兼容ISO 9141功能 •极低的
查看详情2013-7-9 13:02:00代理光宝6N139 天泽恒电子
描述 这些系列高增益耦合器使用光 发射二极管和一个集成的高增益 提供极高的光检测器 之间的输入和电流传输比 输出。光电二极管和独立的引脚 在TTL兼容的输出阶段结果 饱和电压和高速运转。 所需的Vcc和Vo端在哪里 可能连在一起，实现传统 照片达林顿的操作。一个基本的访问 终端，描述 这些系列高增益耦合器使用光 发射二极管和一个集成的高增益 提供极高的光检测器 之间的输入和电流传输比 输出。光电二极管和独立的引脚 在TTL兼容的输出阶段结果 饱和电压和高速运转。 所需
查看详情2013-7-9 13:02:00代理2SK2962 天泽恒电子
生产厂商：Toshiba Semiconductor 中文描述：N通道马鞍山型（高速，大电流开关，斩波调压器，直流CONVERTERAND和电机驱动应用） 英文描述：N CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED, HIGH CURRENT SWITCHING, CHOPPER REG，生产厂商：Toshiba Semiconductor 中文描述：N通道马鞍山型（高速，大电流开关，斩波调压器，直流CONVERTERAND和电机驱动应用） 英文描述：N CHANNEL MOS TYPE (H
查看详情2013-7-9 13:01:00一级代理MOS管FQPF8N60C 天泽恒电子
FQPF8N60C 600V N沟道MOSFET 特点 •6.26A，600V，RDS（ON）=1.5Ω@ VGS= 10 V •低栅极电荷（典型28 nC） •低Crss（典型12 pF） •快速开关 •100％的雪崩测试 ，FQPF8N60C 600V N沟道MOSFET 特点 •6.26A，600V，RDS（ON）=1.5Ω@ VGS= 10 V •低栅极电荷（典型28 nC） •
查看详情2013-7-9 13:00:00供应ST MOS管STF9NK80Z 天泽恒电子
？典型的RDS（ON）=0.9Ω ？极高dv / dt能力 ？改进的ESD能力 ？ 100％额定雪崩 ？栅极电荷最小化 ？非常低的固有电容 ？ VERY GOOD MANUFACTURING 重复性 说明 超™系列的获得通过 极端优化ST的确立 条形基础的Power，？典型的RDS（ON）=0.9Ω ？极高dv / dt能力 ？改进的ESD能力 ？ 100％额定雪崩 ？栅极电荷最小化 ？非常低的固有电容 ？ VERY GOOD MANUFACTURING 重
查看详情2013-7-9 12:59:00供应模块SKET400/18E 天泽恒电子
先进移动智能终端打造的CPU，包括业界领先的128位数据通道SIMD 功能单元，优化的计算单元能够以最低的功耗快速实现计算密集型应用。诺基亚称，“骁龙处理器将最重要的、针对手机优化过的组件集成到单芯片中。将为用户带来快速有效的使用体验，以及强大节能的性能表现。” 中高端领域，据，先进移动智能终端打造的CPU，包括业界领先的128位数据通道SIMD 功能单元，优化的计算单元能够以最低的功耗快速实现计算密集型应用。诺基亚称，“骁龙处理器将最重要的、针对手机优化过的组件集成到单芯片中。将为
查看详情2013-7-9 12:58:0074HCU04D供应商
特点 ·输出能力：标准 ·ICC类别：SSI 概述 的的74HCU04是一个高速硅栅CMOS器件，其引脚兼容的低功率肖特基TTL（LSTTL）。 这是符合JEDEC标准没有规定。 7A。 的的74HCU04是一个通用的六反相器。六个逆变器中的每一个是一个单级 快速参考数据 GND =，特点 ·输出能力：标准 ·ICC类别：SSI 概述 的的74HCU04是一个高速硅栅CMOS器件，其引脚兼容的低功率肖特基TTL（LSTTL）。 这是符合JEDEC标准没有规定。 7A。 的的74
查看详情2013-7-9 11:39:00D44H11G代理商
功率晶体管 这一系列的塑料，硅NPN和PNP功率晶体管 作为通用的功率放大和开关，例如 阶段的应用，如开关稳压器的输出或驱动程序， 转换器和功率放大器。 特点 •低集电极 - 发射极饱和电压 的VCE（sat）=1.0 V（最大）8.0 A •快速开关速度 ，功率晶体管 这一系列的塑料，硅NPN和PNP功率晶体管 作为通用的功率放大和开关，例如 阶段的应用，如开关稳压器的输出或驱动程序， 转换器和功率放大器。 特点 •低集电极 - 发射极饱
查看详情2013-7-9 11:38:00代理原装正品STC12C5A32S2
STC12C5412, STC12C5412AD STC12C5410, STC12C5410AD STC12C5408, STC12C5408AD STC12C5406, STC12C5406AD STC12C5404, STC12C5404AD STC12C5402, STC12C54，STC12C5412, STC12C5412AD STC12C5410, STC12C5410AD STC12C5408, STC12C5408AD STC12C5406, STC12C5406AD
查看详情2013-7-9 11:37:00代理SFH6156-3
隔离测试电压5300 VRMS •快速开关时间 •低CTR退化 •低耦合电容 •无铅元件 •组件按照RoHS 2002/95/EC 和WEEE 2002/96/EC 认证机构 •UL1577，档案编号E52744，隔离测试电压5300 VRMS •快速开关时间 •低CTR退化 •低耦合电容 •无铅元件 •组件按照RoHS 2002/95/EC 和W
查看详情2013-7-9 11:37:00供应TPS7333Q
可在2.5 V，3 V，3.3-V，4.85-V和5-V 固定输出和可调版本 集成的精密电源电压 主管监控调压器输出 电压 200毫秒脉冲低电平有效的复位信号 宽度 非常低压差电压。 。 。最大的 35 mV的IO= 100，可在2.5 V，3 V，3.3-V，4.85-V和5-V 固定输出和可调版本 集成的精密电源电压 主管监控调压器输出 电压 200毫秒脉冲低电平有效的复位信号
查看详情2013-7-9 11:36:00
