特点 l国际标准包 JEDEC TO-247 AD 升平面钝化芯片 升极短的恢复时间 升极低的开关损耗 l低IRM值 升软恢复特性 升环氧符合UL 94V-0 应用 升反并联二极管高频 开关设备 L抗饱和二极管 升缓冲二极管 l无续流二极管的转换器 和电机控制电路 升，特点 l国际标准包 JEDEC TO-247 AD 升平面钝化芯片 升极短的恢复时间 升极低的开关损耗 l低IRM值 升软恢复特性 升环氧符合UL 94V-0 应用 升反并联二极管高频
特点 ？国际标准包装 ？平面钝化芯片 ？极短的恢复时间 ？极低的开关损耗 ？低IRM值 ？软恢复特性 ？环氧符合UL 94V-0 应用 ？反平行二极管高频 开关设备 ？抗饱和二极管 ？缓冲二极管 ？免费续流二极管的转换器 和电机控制电路 ？在开关模式电源整流器 供应（，特点 ？国际标准包装 ？平面钝化芯片 ？极短的恢复时间 ？极低的开关损耗 ？低IRM值 ？软恢复特性 ？环氧符合UL 94V-0 应用 ？反平行二极管高频 开关设备 ？抗饱和二极管 ？
符合USB规范修订版2.0 - 4个下行端口 - 上行端口支持高速（HS）和全速（FS）流量 - 下游端口支持HS，FS，和低速（LS）交通 - 控制管道（端点0，64字节的数据有效载荷）和1个中断管道（端点1，1个字节的有效载荷数据） - 向下兼容USB规范修订版1.1 •，符合USB规范修订版2.0 - 4个下行端口 - 上行端口支持高速（HS）和全速（FS）流量 - 下游端口支持HS，FS，和低速（LS）交通 - 控制管道（端点0，64字节的数据有效载荷）和1个中断管
AD620ARZ使用方便 与一个外部电阻设置增益 （增益范围为1〜10,000） 宽电源电压范围（±2.3 V至±18 V） 三运放IA设计更高的性能比 可在8引脚DIP和SOIC封装 低功耗，供电电流1.3 mA最大 卓越的DC性能（B级） 最大50μV，输入失调电压，AD620ARZ使用方便 与一个外部电阻设置增益 （增益范围为1〜10,000） 宽电源电压范围（±2.3 V至±18 V） 三运放IA设计更高的性能比 可在8引脚DIP和SOIC封装
特点 使用方便 与一个外部电阻设置增益 （增益范围为1〜10,000） 宽电源电压范围（±2.3 V至±18 V） 三运放IA设计更高的性能比 可在8引脚DIP和SOIC封装 低功耗，供电电流1.3 mA最大 卓越的DC性能（B级） 最大50μV，输入失调电压 0.，特点 使用方便 与一个外部电阻设置增益 （增益范围为1〜10,000） 宽电源电压范围（±2.3 V至±18 V） 三运放IA设计更高的性能比 可在8引脚DIP和SOIC封装 低功
AD7705：两个全差分输入通道ADC AD7706：3个伪差分输入通道ADC 16位无失码 0.003％非线性 可编程增益前端 收益从1到128 三线串行接口 SPI™，QSPI™，MICROWIRE™，DSP兼容 施密特触发输入SCLK 模拟，AD7705：两个全差分输入通道ADC AD7706：3个伪差分输入通道ADC 16位无失码 0.003％非线性 可编程增益前端 收益从1到128 三线串行接口 SPI™，QSPI&
特点 激光修整，以高精确度：2.500 V 6 0.4％ 3，终端设备：电压/电压输出 出色的温度稳定性：10 ppm/8C（AD580M，U） 出色的长期稳定性：250毫伏（25 mV的/月） 低静态电流：1.5 mA最大 体积小，密封IC封装：TO-52 MIL-STD-883标准，特点 激光修整，以高精确度：2.500 V 6 0.4％ 3，终端设备：电压/电压输出 出色的温度稳定性：10 ppm/8C（AD580M，U） 出色的长期稳定性：250毫伏（25 mV的/月） 低
特点 超低输入偏置电流 最大60发（AD549L） 最大250发（AD549J） 输入偏置电流保证在共模电压范围 低失调电压 0.25 mV最大（AD549K） 1.00 mV最大（AD549J） 低失调漂移 5μV/°C最大（AD549K） 20μV/°C最大（AD549J） ，特点 超低输入偏置电流 最大60发（AD549L） 最大250发（AD549J） 输入偏置电流保证在共模电压范围 低失调电压 0.25 mV最大（AD549K） 1.00 mV最大（AD549J
特点 激光修整，以高精度： 10.000伏？5毫伏（L和U） 微调的温度系数： 为5 ppm /摄氏度最大值，0？C到+70 C（L） 10 PPM / C最大，-55摄氏度至+125？C（U） 出色的长期稳定性： 25 ppm/1000小时。 （非累积） 负10伏参考能力 低静态，特点 激光修整，以高精度： 10.000伏？5毫伏（L和U） 微调的温度系数： 为5 ppm /摄氏度最大值，0？C到+70 C（L） 10 PPM / C最大，-55摄氏度至+125？C（U）
特点 真正的RMS至DC转换器 高精度激光微调 0.2％的最大错误（AD536AK） 0.5％的最大错误（AD536AJ） 广泛响应能力： 计算RMS交流和直流信号 100 mV" j="450 kHz带宽：V均方根值> 100 mV的 " g="450 kHz Bandwidth: ，特点 真正的RMS至DC转换器 高精度激光微调 0.2％的最大错误（AD536AK） 0.5％的最大错误（AD536AJ） 广泛响应能力： 计算RMS交流和直流信号 100 mV" j="450
特点 •低功耗CMOS VCC = 3V至5.5V 有源电流3mA最大 待机电流500mA最大 •31个电阻元件 温度补偿 - ±20％的端到端电阻范围 - 5V到+5 V范围 •32个抽头位置 - 雨刮定位，通过三线接口 类似TTL递增/递，特点 •低功耗CMOS VCC = 3V至5.5V 有源电流3mA最大 待机电流500mA最大 •31个电阻元件 温度补偿 - ±20％的端到端电阻范围 - 5V到+5
特点 •完整的双音多频（DTMF）信号接收器 •低功耗 •内部增益设置放大器 •可调节的保护时间 •中央办公质量 •掉电模式 •禁止模式 •向后兼容 MT8870C/MT8870C-1 ，特点 •完整的双音多频（DTMF）信号接收器 •低功耗 •内部增益设置放大器 •可调节的保护时间 •中央办公质量 •掉电模式
2。特点 •全静态设计的CMOS 8位微控制器 •宽电源电压为4.5V至5.5V •256字节片上RAM的 •8 KB的片内Flash EPROM •64 KB的程序存储器地址空间 •64 KB数据存储器地址空间 ，2。特点 •全静态设计的CMOS 8位微控制器 •宽电源电压为4.5V至5.5V •256字节片上RAM的 •8 KB的片内Flash EPROM &
1。概述 W78E058B是8位微控制器，它具有在系统内可编程Flash EPROM 固件升级。 W78E058B的指令集完全兼容，与标准8052。 W78E058B包含32K字节的主ROM，4K字节的辅助ROM的 的32KB ROM的内容进行更新的装载程序位于4KB辅助 ROM，512字，1。概述 W78E058B是8位微控制器，它具有在系统内可编程Flash EPROM 固件升级。 W78E058B的指令集完全兼容，与标准8052。 W78E058B包含32K字节的主ROM，4K字节的
特点 •高性能，低功耗的8位AVR®微控制器 •先进的RISC架构 - 120条指令 - 绝大多数为单时钟周期执行 - 32个通用工作寄存器 - 全静态工作 - 高达20 MIPS工作于20 MHz •高耐用性非挥发性记忆体领域 - 1K字，特点 •高性能，低功耗的8位AVR®微控制器 •先进的RISC架构 - 120条指令 - 绝大多数为单时钟周期执行 - 32个通用工作寄存器 - 全静态工作 - 高
特点 •兼容MCS-51®产品 •8K字节的系统内可编程（ISP）快闪记忆体 - 耐力：1000写/擦除周期 •4.0V至5.5V工作电压范围 •全静态操作：0 Hz至33 MHz的 •三个级别的程序存储器锁定 ，特点 •兼容MCS-51®产品 •8K字节的系统内可编程（ISP）快闪记忆体 - 耐力：1000写/擦除周期 •4.0V至5.5V工作电压范围 ̶
N的输出电流高达100 mA N的输出电压为3.3，5，6，8，9，10; 12，15，18，20，24V n热过载保护 Ň短路保护 N无的外部元件 所需 Ň可在任一±5％（AC）或±10％ （c）选择 说明 L78L00一系列三端阳性 稳压器采用内部电流限，N的输出电流高达100 mA N的输出电压为3.3，5，6，8，9，10; 12，15，18，20，24V n热过载保护 Ň短路保护 N无的外部元件 所需 Ň可在任一±5％（
特点 •精密固定工作频率 •KA1M0565R（67KHz的），KA1H0565R（100kHz时） •脉冲的脉冲电流限制 •过载保护 •过电压保护（最小23V） •内部热关断功能 •欠压锁定 ，特点 •精密固定工作频率 •KA1M0565R（67KHz的），KA1H0565R（100kHz时） •脉冲的脉冲电流限制 •过载保护 •
描述 AZ431-A系列芯片是三端可调 保证热稳定性，在一个并联稳压器 完整的操作范围。这些IC具有急转弯的特点， 低温度系数和低输出 阻抗，使他们的理想替代品齐纳 二极管的应用中，如开关电源， 充电器和其他可调稳压器。 AZ431-A系列芯片是40V的电压型。它的输出 电压可以被，描述 AZ431-A系列芯片是三端可调 保证热稳定性，在一个并联稳压器 完整的操作范围。这些IC具有急转弯的特点， 低温度系数和低输出 阻抗，使他们的理想替代品齐纳 二极管的应用中，如开关电源，
特点 ■核心：ARM Cortex™-M3的32位CPU - 72兆赫，1.25 DMIPS/ MHz的90 DMIPS - 单周期乘法和硬件 师 - 嵌套中断控制器43 可屏蔽中断通道 - 中断处理（降到6个CPU 个循环），尾链 ■回忆 - 32至128 KB的快，特点 ■核心：ARM Cortex™-M3的32位CPU - 72兆赫，1.25 DMIPS/ MHz的90 DMIPS - 单周期乘法和硬件 师 - 嵌套中断控制器43 可屏蔽中断通
低的成本，最低的元件数转换器解决方案 •成本竞争力的线性5W以上 •非常低的AC/ DC损失 - 高达90％的效率 •内置的自动重启动和电流限制 •锁定系统级热关断保护 •实现前进，反激式，升压或降压拓扑结构 •与小，低的成本，最低的元件数转换器解决方案 •成本竞争力的线性5W以上 •非常低的AC/ DC损失 - 高达90％的效率 •内置的自动重启动和电流限制 •锁定
说明 MOC301XM和MOC302XM系列光隔离双向可控硅驱动器设备。这些器件包含一个砷化镓红外 发光二极管和光活化硅双向开关，其作用就像一个三端双向可控硅开关元件。它们之间的接口设计 电子控制和电源三端双向可控硅开关元件控制阻性和感性负载，115 VAC操作。 特点 •优秀，说明 MOC301XM和MOC302XM系列光隔离双向可控硅驱动器设备。这些器件包含一个砷化镓红外 发光二极管和光活化硅双向开关，其作用就像一个三端双向可控硅开关元件。它们之间的接口设计 电子控制和电源
说明 MOC301XM和MOC302XM系列光隔离双向可控硅驱动器设备。这些器件包含一个砷化镓红外 发光二极管和光活化硅双向开关，其作用就像一个三端双向可控硅开关元件。它们之间的接口设计 电子控制和电源三端双向可控硅开关元件控制阻性和感性负载，115 VAC操作。 特点 •优秀，说明 MOC301XM和MOC302XM系列光隔离双向可控硅驱动器设备。这些器件包含一个砷化镓红外 发光二极管和光活化硅双向开关，其作用就像一个三端双向可控硅开关元件。它们之间的接口设计 电子控制和电源
PIC16F1824高性能RISC CPU： •只有49条指令学习： - 除了分支机构的所有单周期指令 •工作速度： - DC - 32 MHz振荡器/时钟输入 - DC - 125 ns指令周期 •最多4个字节的线性程序存储 解决 •，PIC16F1824高性能RISC CPU： •只有49条指令学习： - 除了分支机构的所有单周期指令 •工作速度： - DC - 32 MHz振荡器/时钟输入 - DC -
特点 •快速开关MOSFET的开关电源 •优化技术的DC / DC转换器 •符合到JEDEC1）为目标的应用 •N沟道，逻辑电平 •优秀的栅极电荷x R DS（ON）产品（FOM） •非常低的导通电阻R DS（ON），特点 •快速开关MOSFET的开关电源 •优化技术的DC / DC转换器 •符合到JEDEC1）为目标的应用 •N沟道，逻辑电平 •优秀的
