特点
•快速开关MOSFET的开关电源
•优化技术的DC / DC转换器
•符合到JEDEC1）为目标的应用
•N沟道，逻辑电平
•优秀的栅极电荷x R DS（ON）产品（FOM）
•非常低的导通电阻R DS（ON）
•额定雪崩
•无铅电镀，符合RoHS compliantMaximum评级，在T J = 25°C，除非另有规定
参数符号条件单位
连续漏电流和IDV GS=10 V，TC= 25°C90 A
V GS= 10 V，T C = 100°C 76
V GS =4.5 V，T，C = 25°C 89
V GS= 4.5 V，
T C = 100°C 63
脉冲漏电流）I D，脉冲T C = 25°C 400
雪崩电流，单pulse3）I TC= 25°C 90
单脉冲雪崩能量，E AS ID= 50 A，R GS =25Ω60兆焦耳
反向二极管dv / dt的dv / dt
I D = 90 A，V DS= 24 V，
的di / dt= 200的A /μs，
T J= 175°C，最大
6千伏/μs
栅源电压V GS±20 V
