生产厂商：Infineon Technologies AG 中文描述：低损耗DuoPack：在IGBT的沟槽场终止技术和软，恢复快反平行何快恢复二极管 英文描述：Low Loss DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft,，生产厂商：Infineon Technologies AG 中文描述：低损耗DuoPack：在IGBT的沟槽场终止技术和软，恢复快反平行何快恢复二极管 英文描述：Low Loss DuoPack : IGBT
生产厂商：Infineon Technologies AG 中文描述：低损耗IGBT的在战壕和场终止技术 英文描述：LOW LOSS IGBT IN TRENCH AND FIELDSTOP TECHNOLOGY IGW50N60T 参数 制造商Infineon 产品种类IGBT 晶体管 R，生产厂商：Infineon Technologies AG 中文描述：低损耗IGBT的在战壕和场终止技术 英文描述：LOW LOSS IGBT IN TRENCH AND FIELDSTOP TECHNOLO
生产厂商：STMicroelectronics 中文描述：N沟道30A条- 600V的- TO-220/TO-247非常IGBT的快速PowerMESH 英文描述：N-CHANNEL 30A - 600V - TO-220/TO-247 Very Fast PowerMESH IGBT ST，生产厂商：STMicroelectronics 中文描述：N沟道30A条- 600V的- TO-220/TO-247非常IGBT的快速PowerMESH 英文描述：N-CHANNEL 30A - 600V -
生产厂商：IXYS Corporation 中文描述：不扩散核武器条约IGBT的phaseleg 英文描述：NPT IGBT phaseleg FII50-12E 参数 制造商IXYS RoHS是 配置Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO1200 V 栅极/发射极最大电压+/- 20 ，生产厂商：IXYS Corporation 中文描述：不扩散核武器条约IGBT的phaseleg 英文描述：NPT IGBT phaseleg FII50-12E 参数 制造商IXYS RoHS是 配
过电压和过电流的充电器前端 保护IC，具有集成充电FET ·软启动，防止浪涌电流 2·坚固的保护·软停止，以防止电压尖峰。 - 输入过电压保护·30V最大输入电压 - 输入过电流保护器，支持高达1A的负载电流 - 精确的电池过电压保护·小型2mm×2mm的8PIN SON封装 - 热关，过电压和过电流的充电器前端 保护IC，具有集成充电FET ·软启动，防止浪涌电流 2·坚固的保护·软停止，以防止电压尖峰。 - 输入过电压保护·30V最大输入电压 - 输入过电流保护器，支持高达1A
来自各家晶片供应商的业绩目标显示，现的元凶；先前该机构预测，无线通讯领域的成长幅度将足以带动全年度晶片市场的成长，但现在则指出，日益恶化的PC相关晶片市场，衰退程度恐怕会别的晶片领域都会呈现营收衰退。 至于2013年，IHS估计晶片市场将会有超过9%的反弹成长，主要是因为届， 来自各家晶片供应商的业绩目标显示，现的元凶；先前该机构预测，无线通讯领域的成长幅度将足以带动全年度晶片市场的成长，但现在则指出，日益恶化的PC相关晶片市场，衰退程度恐怕会别的晶片领域都会呈现营收衰
的NCP1595/NCP1595A是电流模式PWM降压转换器 集成了电源开关和同步整流器。它可以提供 高达1.5 A的输出电流与高转换效率。高 频率PWM控制方案可提供低输出纹波噪声。 因此，它允许使用小尺寸的无源元件，以减少 的电路板空间。在低负荷条件下，控制器将 自动切换到PFM模式，的NCP1595/NCP1595A是电流模式PWM降压转换器 集成了电源开关和同步整流器。它可以提供 高达1.5 A的输出电流与高转换效率。高 频率PWM控制方案可提供低输出纹波噪声。 因此，它允许使
数字闹钟的LED驱动 说明 SC8562是报警装配有数字时钟IC，内置驱动器，可直接驱动LED显示equipment.SC8562有简单的设定，两个报警等功能，可用于在宽工作电压范围。 特点 *双面LED显示（SC8560-使用LED面板可用） *芯片上的报警（600Hz的，在1200Hz，数字闹钟的LED驱动 说明 SC8562是报警装配有数字时钟IC，内置驱动器，可直接驱动LED显示equipment.SC8562有简单的设定，两个报警等功能，可用于在宽工作电压范围。 特点 *双面L
TEA1062特点 ·低直流线路电压，工作电压可低至1.6 V（不包括 极性保护） ·电压调节器与可调节的静态电阻 ·外部电路提供电源 ·对称的高阻抗输入（64千瓦） 动态的，磁性的或压电麦克风 ·非对称的高阻抗输入（32千瓦）的驻极体 麦克风 ·DTMF信号输入有信心音 ·静音，TEA1062特点 ·低直流线路电压，工作电压可低至1.6 V（不包括 极性保护） ·电压调节器与可调节的静态电阻 ·外部电路提供电源 ·对称的高阻抗输入（64千瓦） 动态的，磁性的或压电麦克风
特点 完整的RF检波器/控制器 典型范围-58 dBV至-13 dBV的 -45 dBm到0 dBm重50 V 从100 MHz到2.5 GHz的频率响应 温度稳定线性的dB响应 精确到2.5 GHz 快速响应：70 ns至10 dB步 低功耗：12 mW在2.7 V 掉电到20毫，特点 完整的RF检波器/控制器 典型范围-58 dBV至-13 dBV的 -45 dBm到0 dBm重50 V 从100 MHz到2.5 GHz的频率响应 温度稳定线性的dB响应 精确到2.5 G
1特点 ·引脚兼容的PCA82C200的立场，单独的CAN 调节器 ·电气兼容PCA82C200独立 CAN控制器 ·PCA82C200模式（BasicCAN模式是默认的） ·扩展的接收缓冲器（64字节FIFO） ·CAN 2.0B协议兼容（扩展帧 被动PCA82C200兼容性模式），1特点 ·引脚兼容的PCA82C200的立场，单独的CAN 调节器 ·电气兼容PCA82C200独立 CAN控制器 ·PCA82C200模式（BasicCAN模式是默认的） ·扩展的接收缓冲器（6
低功耗双电压比较器LM193/A/293/A/393/A/2903 1995年11月27日1853-093216050 说明 LM193系列由两个独立的精密电压 低至2.0mV与一个偏移量的电压规格的比较器 最大。两个比较器，是专为 从单电源供电，在很宽的电压范围内操作。 从分裂电源操，低功耗双电压比较器LM193/A/293/A/393/A/2903 1995年11月27日1853-093216050 说明 LM193系列由两个独立的精密电压 低至2.0mV与一个偏移量的电压规格的
1。概述 DM9000是一个完全集成的和符合成本效益 单芯片快速以太网MAC控制器与 通用处理器接口，一个10/100M PHY和4K 双字SRAM。它的设计具有低功耗和高 演出过程中，支持3.3V与5V 容忍。 DM9000也提供了MII接口连接 HPNA设备或其他收发器，支持MI，1。概述 DM9000是一个完全集成的和符合成本效益 单芯片快速以太网MAC控制器与 通用处理器接口，一个10/100M PHY和4K 双字SRAM。它的设计具有低功耗和高 演出过程中，支持3.3V
2。产品概述 2.1。特点 •低功耗CMOS设计 •红外线数据传输速率从2.4 kbps到4 Mbps •从USB端口获得电源 •使用标准的IrDA收发器 •可选的LED驱动器，以获得更大的灵活性 - LED驱动器，能够650，2。产品概述 2.1。特点 •低功耗CMOS设计 •红外线数据传输速率从2.4 kbps到4 Mbps •从USB端口获得电源 •使用标准的IrDA收
PC16552D 双通用异步 接收器/发送器与FIFO的² 概述 PC16552D是的PC16550D通用的双通道版本 异步接收器/发送器（UART）。两个串行 渠道是完全独立的，只是为了一个共同的 CPU接口和晶振输入。上电时两个通道 功能上是相同的16450 *。每个通，PC16552D 双通用异步 接收器/发送器与FIFO的² 概述 PC16552D是的PC16550D通用的双通道版本 异步接收器/发送器（UART）。两个串行 渠道是完全独立的，只是为
Widebus™产品系列 ·国家的艺术EPIC-IIB BiCMOS工艺设计 显着降低功耗 ·的典型VOLP（输出地弹跳），Widebus™产品系列 ·国家的艺术EPIC-IIB BiCMOS工艺设计 显着降低功耗 ·的典型VOLP（输出地弹跳）
概述 HWD2190是一个主要设计的音频功率放大器 为要求苛刻的应用在移动电话和其他便携式 通信设备的应用程序。它是能够 提供1瓦的连续功率，向8ΩBTL 从5VDC加载失真（THD+ N）小于1％ 电源。 音频功率放大器是专为 提供高品质的输出功率最小量的 的外部元件。 HWD2，概述 HWD2190是一个主要设计的音频功率放大器 为要求苛刻的应用在移动电话和其他便携式 通信设备的应用程序。它是能够 提供1瓦的连续功率，向8ΩBTL 从5VDC加载失真（THD+ N）小于1％
深圳市天泽恒电子有限公司 电话：0755-23945832 传真：0755-83552937 手机：15019421063 QQ ：412705633朱先生 地址：福田区华强电子世界三期（佳和大厦）5C083室 深圳市天泽恒电子有限公司 电话：0755-23945832 传真：075，深圳市天泽恒电子有限公司 电话：0755-23945832 传真：0755-83552937 手机：15019421063 QQ ：412705633朱先生 地址：福田区华强电子世界三期（佳和大厦）
概述： BL8530C系列基于CMOS PFM升压型DC-DC控制器，具有低电源 电流和高输出电压精度。 来自电源的静态电流 低的6uA。它是能够提供 500mA的输出电流，4.0V输出2V 输入电压。只有四个外部元件 是必要的：一个电感器，一个肖特基二极管， 输出滤波电容和一个用，概述： BL8530C系列基于CMOS PFM升压型DC-DC控制器，具有低电源 电流和高输出电压精度。 来自电源的静态电流 低的6uA。它是能够提供 500mA的输出电流，4.0V输出2V 输
FQA11N90C 900V N沟道MOSFET 特点 •11A，900V，RDS（ON）=1.1Ω@ VGS= 10 V •低栅极电荷（典型60 nC的） •低Crss（典型值23pF） •快速开关 •100％的雪崩测试 ，FQA11N90C 900V N沟道MOSFET 特点 •11A，900V，RDS（ON）=1.1Ω@ VGS= 10 V •低栅极电荷（典型60 nC的） •低
75A，1200V超高速二极管 RHRG75120是一个超快软恢复二极管 特性（T RR ，75A，1200V超高速二极管 RHRG75120是一个超快软恢复二极管 特性（T RR
特点 引脚对引脚兼容ML4800和FAN4800 和CM6800 CM6800A 电流模式PWM配置 前馈电压模式操作 内部同步的前沿PFC和 后缘PWM在一个IC 低工作电流 创新的，特点 引脚对引脚兼容ML4800和FAN4800 和CM6800 CM6800A 电流模式PWM配置 前馈电压模式操作 内部同步的前沿PF
NDC7002N 双N沟道增强型场效应晶体管 一般描述 绝对的和最大RatingsTA=25°C除非另有说明 符号参数NDC7002N单元 VDSS漏源电压50 V VGSS栅源电压 - 连续20 V ID漏电流 - 连续（注1a）0.51一个 - 脉冲1.5 PD最大功率耗散（注，NDC7002N 双N沟道增强型场效应晶体管 一般描述 绝对的和最大RatingsTA=25°C除非另有说明 符号参数NDC7002N单元 VDSS漏源电压50 V VGSS栅源电压 - 连续20
8A，1200V超高速二极管 RHRP8120是一个超快软恢复二极管 特性，8A，1200V超高速二极管 RHRP8120是一个超快软恢复二极管 特性
特点 ■核心：ARM Cortex™-M3的32位CPU - 36 MHz的最高频率， 1.25 DMIPS / MHz（Dhrystone的2.1的） 0等待状态的内存性能 访问 - 单周期乘法和硬件 师 ■回忆 - 16到32个字节的闪存存储器 - 4到6字节的S，特点 ■核心：ARM Cortex™-M3的32位CPU - 36 MHz的最高频率， 1.25 DMIPS / MHz（Dhrystone的2.1的） 0等待状态的内存性能 访问 -
