NDC7002N

双N沟道增强型场效应晶体管

一般描述

绝对的和最大RatingsTA=25°C除非另有说明

符号参数NDC7002N单元

VDSS漏源电压50 V

VGSS栅源电压 - 连续20 V

ID漏电流 - 连续（注1a）0.51一个

- 脉冲1.5

PD最大功率耗散（注1a）0.96 W

（注1b）0.9

（注1c）0.7

TJ，Tstg工作和存储温度范围-55到150°C

热特性

RqJA

热阻，结到环境（注1a）130°C/ W

RqJC

热阻，结到外壳（注1）60°C/ W

NDC7002N.SAM

0.51A，50V，RDS（ON）=2W @ VGS = 10V

低RDS（ON）的高密度电池设计。

专有SuperSOTTM-6包装设计采用铜

出色的热性能和电气性能的引线框架。

高饱和电流。

SOT-6（SuperSOTTM-6）

这些双N沟道增强型电源领域

效应晶体管都采用飞兆半导体

专有的，高密度，DMOS技术。这

非常高密度的过程中已被设计为最小化

通态电阻，提供坚固可靠

性能和快速切换。这些设备是

特别适合于低电压应用需要

低电流高边开关