7安培，650伏
N-沟道功率MOSFET
说明
该UTC7N65是一种高电压的MOSFET，并且被设计为
有更好的特性，如快速切换时间，低栅极
电荷，低通态电阻，具有较高的崎岖雪崩
的特点。这通常用在高速功率MOSFET
开关电源的应用，PWM马达控制，高
高效的DC-DC转换器和桥电路。
特点
* RDS（ON）=1.35Ω@ VGS =10 V
*超低栅极电荷（典型30 nC）
*低反向传输电容（CRSS=典型18 pF）
*快速开关能力
*指定的雪崩能量
*改进dv / dt能力，高耐用性
