？典型的RDS（ON）=0.9Ω
？极高dv / dt能力
？改进的ESD能力
？ 100％额定雪崩
？栅极电荷最小化
？非常低的固有电容
？ VERY GOOD MANUFACTURING
重复性
说明
超™系列的获得通过
极端优化ST的确立
条形基础的PowerMESH™布局。除了
推动导通电阻显着下降，特别
已采取审慎措施确保了很好的dv / dt能力
最苛刻的应用。这种系列
ST全方位的高电压MOSFET的补充
包括革命MDmesh™产品。
应用
？大电流，高开关速度
？ OFF式电源的理想选择
？ SMP
