NTMFS5H615NLT1G onsemi 800000PCS，更多详情参数或规格书请联系 NTMFS5H615NLT1G 供货情况 NTMFS5H615NLT1G 产品购买 NTMFS5H615NLT1G 中文资料-数据手册-PDF资料 制造商: onsemi 产品种类: MOSFET 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SO-8FL-4 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿
NTMFS5H630NLT1G onsemi 80000000PCS，更多详情参数或规格书请联系 NTMFS5H630NLT1G 供货情况 NTMFS5H630NLT1G 产品购买 NTMFS5H630NLT1G 中文资料-数据手册-PDF资料 制造商: 产品种类: MOSFET 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SO-8FL-4 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 60
TLE42644G Infineon 800000PCS，Infineon 代理分销 TLE42644G现货10k TLE42644G代理 TLE42644G其他参数联系客服 TLE42644G停产了吗 TLE42644G现货5k TLE42644G最小包装 TLE42644G PDF文件 规格书 TLE42644G 最新年份是什么时候 TLE42644G规格书 TLE42644G电压 TLE42644G电流 TLE42644G参数 陈嘉嘉18938923845 TLE4
2ED21091S06FXUMA1 英飞凌 880000PCS，一，核心参数与特性 该器件为高低侧独立输出架构，VS 节点耐压 650V、VB 节点 675V，VS 负瞬态耐受约 100V、稳态可至 - 11V（VCC=15V），无寄生晶闸管结构，抗闩锁与噪声免疫能力强，能稳定工作于高压半桥拓扑。供电方面，VCC 工作范围 10–20V，极限值 25V，适配工业标准栅极驱动电源；峰值拉电流约 + 290mA、灌电流约 - 700mA，关断能力更强，可有效抑制栅极振荡与开关损耗。时序
BSP317PL6327HTSA1 数量：60000PCS ，型号 BSP317PL6327HTSA1 品牌 Infineon/英飞凌 封装 SOT-223 FET 类型 P 通道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss） 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 430mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 4 欧姆 @ 430mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th
TLE42344GHTMA1 Infineon SOT223-4 80000PCS，TLE42344GHTMA1 Infineon 代理分销 TLE42344GHTMA1现货10k TLE42344GHTMA1代理 TLE42344GHTMA1其他参数联系客服 TLE42344GHTMA1停产了吗 TLE42344GHTMA1现货5k TLE42344GHTMA1最小包装 TLE42344GHTMA1 PDF文件 规格书 TLE42344GHTMA1最新年份是什么时候 TLE4
BSP296L6327HTSA1 60000PCS ，型号 BSP296L6327HTSA1 品牌 Infineon/英飞凌 封装 SOT223 ET 类型 N 通道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss） 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.8A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 300 毫欧 @ 1.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最
2EDL8033G3CXTMA1 Infineon 80000PCS，2EDL8033G3CXTMA1 Infineon 代理分销 2EDL8033G3CXTMA1现货10k 2EDL8033G3CXTMA1代理 2EDL8033G3CXTMA1其他参数联系客服 2EDL8033G3CXTMA1停产了吗 2EDL8033G3CXTMA1现货5k 2EDL8033G3CXTMA1最小包装 2EDL8033G3CXTMA1 PDF文件 规格书 2EDL8033G3CXTMA1最新年份是什么
TXB0102DCUR TI(德州仪器) VSSOP-8-0.5mm 800000PCS，TXB0102DCUR 是一款双通道、自动方向检测的电平转换芯片，常见于 MCU、FPGA 与外设之间的逻辑电平匹配场景。它可以在两侧不同电压之间进行双向转换，比如把 1.2V / 1.8V / 2.5V / 3.3V 的信号转换到 3.3V / 5V，常用于 I²C、GPIO、控制信号等低速/中速总线。 器件封装为 VSSOP‑8（TI 的 DCU 封装），体积小，适合空间紧张的板卡设计。 主要功能特点
BSP297L6327HTSA1 60000PCS ，型号BSP297L6327HTSA1 品牌 Infineon/英飞凌 封装 SOT-223 技术MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 660mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 1.8 欧姆 @ 660mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）1.8V @ 400µA
商品概述 OPA376系列代表了采用e-trim™技术的新一代低噪声运算放大器，具备出色的直流精度和交流性能。轨到轨输入输出、低失调（最大25 μV）、低噪声（7.5 nV/√Hz）、静态电流最大950 μA以及5.5 MHz带宽，使该器件在各种精密和便携式应用中极具吸引力。此外，该器件具有较宽的电源电压范围和出色的电源抑制比（PSRR），适合直接由电池供电且无需稳压的应用。 OPA376（单通道版本）提供MicroSIZE SC70 - 5、SOT - 23 - 5和SOIC - 8封装。OPA237
2EDL8023GXUMA1 栅极驱动器 贴片VDSON-8 一站式BOM配单，2EDL8023GXUMA1 Infineon 代理分销 2EDL8023GXUMA1现货10k 2EDL8023GXUMA1代理 2EDL8023GXUMA1其他参数联系客服 2EDL8023GXUMA1停产了吗 2EDL8023GXUMA1现货5k 2EDL8023GXUMA1最小包装 2EDL8023GXUMA1 PDF文件 规格书 2EDL8023GXUMA1最新年份是什么时候 2EDL8023GX
2SK3747-1E MOSFET TO-3PF-3 onsemi ， 产品属性 属性值 选择属性 制造商: onsemi 产品种类: MOSFET 发货限制： Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。 REACH - SVHC: 技术: Si 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-3PF-3 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 1.5 kV Id-连续漏极电流: 2 A
AD822AR 是 ADI 旗下一款双路低功耗场效应管输入运算放大器，具备低失调电压、低噪声、轨到轨输出等优势，适配单 / 双电源供电模式，核心用于微弱差分信号的高精度放大，广泛应用于医疗电子、工业控制、仪器仪表等多个领域，AD822AR 应该用场景 医疗电子设备 该领域中很多设备需处理微伏到毫伏级的微弱生物电信号，AD822AR 的高输入阻抗和低噪声特性可精准放大这类信号，同时抑制干扰。比如在心电图机（ECG）中，它可作为前置放大器，将小于 1mV 的心电图信号放大，搭配右腿驱动电路抵消 50Hz
每一颗均来自原厂TPS3840PL31DBVRQ1，TPS3840PL31DBVRQ1 是德州仪器推出的一款汽车级超低功耗高精度电压监控器，其型号中 “Q1” 代表符合车规标准，结合 300nA 的典型毫微级功耗、1.5%_的阈值精度以及 - 40°C 至 125°C 的宽温工作特性，应用场景既覆盖汽车电子核心领域，也适配多种低功耗工业与民用电子设备，具体如下： 汽车电子领域 作为车规级器件，它是汽车各类电子控制系统电源稳定性的关键保障。比如汽车的车载信息娱乐系统，该系统集成导航、音响等多个模块，电压
UCC27325DR 系列原装正品，制造商: Texas Instruments 产品种类: 栅极驱动器 RoHS: 产品: MOSFET Gate Drivers 类型: Low-Side 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOIC-8 激励器数量: 2 Driver 输出端数量: 2 Output 输出电流: 4 A 电源电压-最小: 4 V 电源电压-最大: 15 V 配置: Inverting, Non-Inverting 上升时
KSZ8041NL-TR，更多详情参数或规格书请联系 KSZ8041NL-TR 供货情况 KSZ8041NL-TR 产品购买 KSZ8041NL-TR中文资料-数据手册-PDF资料 制造商: Microchip 产品种类: 以太网 IC RoHS: 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: MLF-32 产品: Ethernet Transceivers 标准: 10BASE-T, 100BASE-TX 收发器数量: 1 Transceiver 数据速率
IRF640NPBF，更多详情参数或规格书请联系 IRF640NPBF 供货情况 IRF640NPBF 产品购买 IRF640NPBF中文资料-数据手册-PDF资料 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 技术: Si 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-220-3 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 200 V Id-连续漏极电流: 18 A
LM2776DBVR，更多详情参数或规格书请联系 LM2776DBVR供货情况 LM2776DBVR 产品购买 LM2776DBVR 中文资料-数据手册-PDF资料 制造商: Texas Instruments 产品种类: 开关稳压器 RoHS: 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOT-23-6 拓扑结构: Boost 输出电压: - 5.5 V 输出电流: 200 mA 输出端数量: 1 Output 输入电压 - 最小值: 2.7 V
DRV8332DKD TI(德州仪器) HSSOP-36-11.0mm 安富世纪现货供应 欢迎来电咨询，DRV8332DKD 品牌： TI(德州仪器) 封装： HSSOP-36-11.0mm 工作电路：8A 导通电阻：80mΩ 类目：无刷直流(BLDC)电机驱动芯片
CY8CMBR3116-LQXIT 集成电路IC，CY8CMBR3xxx CapSense® Express™ 电容触摸感应控制器为用户界面提供先进且易于实现的电容式触摸感应解决方案。该系列控制器通过寄存器配置即可实现功能，最多支持16路电容感应输入，无需耗时繁琐的固件开发。这些控制器是实现电容式按键、滑条及接近感应功能的理想选择，能够显著缩短产品开发周期。 CY8CMBR3xxx系列采用先进的模拟感应通道与电容式Σ-Δ增强型（CSD PLUS）感应算法，可提供超过100:1的信噪比（SNR），确保
BSP298H6327XUSA1 60000PCS 现货供应 欢迎来电咨询，型号 BSP298H6327XUSA1 品牌 Infineon/英飞凌 封装 SOT223 FET 类型 P 通道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.9A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 300 毫欧 @ 1.9A，10V 不同 Id 时 Vg
2EDL8033G4CXTMA1 电流隔离式栅极驱动器 贴片VDSON-10-2 一站式bom配单，Infineon 代理分销 2EDL8033G4CXTMA1现货10k 2EDL8033G4CXTMA1代理 2EDL8033G4CXTMA1其他参数联系客服 2EDL8033G4CXTMA1停产了吗 2EDL8033G4CXTMA1现货5k 2EDL8033G4CXTMA1最小包装 2EDL8033G4CXTMA1 PDF文件 规格书 2EDL8033G4CXTMA1最新年份是什么时候
MAX706SESA 集成电路IC 监控器 SUPERVISOR 1 CHANNEL 8SOIC，商品概述 MAX706P/R/S/T、MAX706AP/AR/AS/AT和MAX708R/S/T微处理器（µP）监控电路降低了在+3V至+5V µP系统中监控+3V电源电平所需的复杂度和元件数量。与分立IC或分立元件相比，这些器件显著提高了系统的可靠性和准确性。 MAX706P/R/S/T和MAX706AP/AR/AS/AT监控电路提供以下四项功能： 在上电、掉电和欠压情况下提供复位输出。 一个独立
KEMET T521T336M016ATE045是一款采用先进聚合物技术的表面贴装钽电容器，其33μF的容量和16V的额定电压，配合低至45mΩ的ESR，为现代高密度、高效率的电源电路提供了卓越的滤波、去耦和储能解决方案，本产品属于KEMET KO-CAP®系列中的T521系列，该系列专为应对严苛的电源应用而设计，融合了钽材料的高体积效率与聚合物阴极的超低阻抗特性。 1. 核心产品规格 下表汇总了该型号的关键电气与物理参数： 制造商 KEMET 电容值 33 µF 额定电压 16 V DC
