10CL120YF780I7G 是英特尔旗下的一款 FPGA 芯片，从收录的规格信息来看，它最突出的特点就是 780 个引脚设计，这种高引脚配置意味着它能支持更多外部设备接口，数据传输和扩展能力相当出色 ，10CL120YF780I7G 是英特尔旗下的一款 FPGA 芯片，从收录的规格信息来看，它最突出的特点就是 780 个引脚设计，这种高引脚配置意味着它能支持更多外部设备接口，数据传输和扩展能力相当出色。可能有朋友觉得 FPGA 芯片离车规领域有点远，但实际上在新能源汽车的复杂电控系统里，这类芯片的作用
ZHCS1000TA 是 Diodes（美台半导体）旗下一款表面贴装肖特基势垒二极管，采用 SOT-23 封装，凭借低正向压降、快速开关特性和稳定的耐高压能力，成为电源管理、信号处理等场景的优选器件，ZHCS1000TA 肖特基二极管应用功能全解 ZHCS1000TA 是 Diodes（美台半导体）旗下一款表面贴装肖特基势垒二极管，采用 SOT-23 封装，凭借低正向压降、快速开关特性和稳定的耐高压能力，成为电源管理、信号处理等场景的优选器件。以下从核心参数、应用场景、功能优势及选型要点展开，内容贴近工
SN75451BDR TI 800000PCS，属性 参数值 灌电流(IOL) 300mA 拉电流(IOH) 100uA 工作温度 0℃~+70℃ 静态电流(Iq) 11mA 传播延迟(tpd) 18ns@5V,15pF 应用领域 高速逻辑缓冲器 功率驱动器 继电器驱动器 灯驱动器 MOS驱动器 线路驱动器 存储器驱动器
BSP123E6327T ineon/英飞凌 60000PCS ，型号 BSP123E6327T 品牌 Infineon/英飞凌 封装 SOT-223 FET 类型 N 通道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss） 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.9A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）120 毫欧 @ 2.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）4
LMR14020SDDAR，更多详情参数或规格书请联系 LMR14020SDDAR 供货情况 LMR14020SDDAR 产品购买 LMR14020SDDAR 中文资料-数据手册-PDF资料 制造商: Texas Instruments 产品种类: 开关稳压器 RoHS: 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SO-PowerPAD-8 拓扑结构: Buck 输出电压: 800 mV to 28 V 输出电流: 2 A 输出端数量: 1 Output
BSP613PH6327XTSA1 nfineon/英飞凌 60000PCS ，型号 BSP613PH6327XTSA1 品牌 Infineon/英飞凌 封装 SOT-223 FET 类型 P 通道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss） 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 980mA（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）900 毫欧 @ 980mA，10V 不同 Id 时
1N4148W-7-F DIODES(美台) SOD-123 安富世纪现货供应 欢迎来电咨询，1N4148W-7-F 品牌： DIODES(美台) 封装：SOD-123 工作电流：300mA 类目：开关二极管
AD2S1210WDSTZRL7 最大跟踪速率 3125 rps（10 位分辨率和 CLKIN=10.24 MHz），商品特性 完全单片解算器到数字转换器 最大跟踪速率 3125 rps（10 位分辨率和 CLKIN=10.24 MHz） 角度精度 ±2.5（+ 1 LSB）弧分（B 和 D 等级） 10/12/14/16 位分辨率，由用户设置 并行和串行 10 位至 16 位数据端口 绝对位置和速度输出 系统故障检测 可编程故障检测阈值 差分输入 增量编码器仿真 可编程正弦振荡
TLE4274GSV25HTMA1 是一款面向汽车电子及工业控制场景的高性能电源管理芯片，推测为英飞凌（Infineon）旗下稳压类产品（基于同系列型号技术脉络推导）。该芯片延续了汽车级电源器件的高可靠性设计，输入电压范围适配车载 12V/24V 电网需求，输出电压精准锁定 2.5V（型号后缀 ，Infineon 代理分销 TLE4274GSV25HTMA1现货10k TLE4274GSV25HTMA1 I代理 TLE4274GSV25HTMA1 I其他参数联系客服 TLE4274GSV25HTM
1ED332xMC12N (1ED-F3) 是单通道电流隔离式栅极驱动器系列，商品概述 1ED332xMC12N (1ED-F3) 是单通道电流隔离式栅极驱动器系列，采用 DSO-16 宽体封装，具备集成保护功能，如用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的短路保护、有源米勒钳位和主动关断。该产品典型输出电流最高可达 +6 A / -8.5 A。 所有逻辑引脚与 3.3 V 和 5 V CMOS 兼容，可直接连接到微控制器。电流隔离的数据传输通过集成的无芯变压器 (CT) 技术实现。
IR2136STRPBF 是一款面向三相电机驱动和变频器应用的高压三相栅极驱动器，集成 3 路高边和 3 路低边驱动通道，可直接驱动 MOSFET/IGBT，耐压高达约 600V，内置欠压锁定、死区时间控制及故障检测/关断等保护功能，适用于变频空调、电机控制、电源逆变等中高功率场合。，更多详情参数或规格书请联系 IR2136STRPBF 供货情况 IR2136STRPBF 产品购买 IR2136STRPBF 中文资料-数据手册-PDF资料 制造商: Infineon 产品种类: 栅极驱动器
INA105KU/2K5 是一款由 TI 推出的精密单位增益差分放大器，采用 SOIC‑8 封装，具备低失调电压、低漂移和高共模抑制比，可实现单片式差分‑转单端信号转换，适用于精密测量、信号调理、仪表与工业控制等对精度与稳定性要求较高的应用 ，更多详情参数或规格书请联系 INA105KU/2K5 供货情况 INA105KU/2K5产品购买 INA105KU/2K5 中文资料-数据手册-PDF资料 制造商: Texas Instruments 产品种类: 差分放大器 RoHS:
onsemi NTMFS6H858NLT1G 为 N 沟道 80 V、30 A 功率 MOSFET，典型导通电阻约 19.5 mΩ，采用 5×6 mm 扁平 DFN/SO8-FL 封装，具备低 Rds(on) 与良好散热性能，适用于高效率电源和工业开关应用，更多详情参数或规格书请联系 NTMFS6H858NLT1G 供货情况 NTMFS6H858NLT1G 产品购买 NTMFS6H858NLT1G 中文资料-数据手册-PDF资料 制造商: onsemi 产品种类: MOSFET
NTMFS7D5N15MC 为 N 沟道 150 V、95.6 A Shielded Gate PowerTrench MOSFET，Rds(on) 典型值约 7.9 mΩ，采用 5×6 mm PQFN8 封装，具有低导通电阻和高电流能力，适用于高效率开关电源、同步整流及电机驱动等应用，更多详情参数或规格书请联系 NTMFS7D5N15MC 供货情况 NTMFS7D5N15MC 产品购买 NTMFS7D5N15MC 中文资料-数据手册-PDF资料 制造商: onsemi 产品种类: MO
NCV8405ASTT3G onsemi/安森美 60000PCS ，型号 NCV8405ASTT3G 品牌 onsemi/安森美 封装 SOT-223 开关类型 通用 输出数 1 比率 - 输入:输出 1：1 输出配置 低端 输出类型 N 通道 接口 开/关 电压 - 负载 42V（最大） 电压 - 供电 (Vcc/Vdd) 不需要 电流 - 输出（最大值） 6A 导通电阻（典型值） 90 毫欧 输入类型 非反相 特性 带有自动重启功能 故
2EDN7533BXTSA1 Infineon 2EDN7533BXTSA1 为双通道低侧 5A 栅极驱动器 IC，工作电源电压 4.5–20V，适用于高速驱动功率 MOSFET 的开关电源、DC‑DC 转换及工业控制等应用，Infineon 代理分销 2EDN7533BXTSA1现货10k 2EDN7533BXTSA1代理 2EDN7533BXTSA1其他参数联系客服 2EDN7533BXTSA1停产了吗 2EDN7533BXTSA1现货5k 2EDN7533BXTSA1最小包装 2EDN
NTMFS6H852NLT1G 为 N 沟道 80 V、42 A 功率 MOSFET，Rds(on) 典型值约 13.1 mΩ（Vgs=10 V），DFN5x6 封装，具有低导通电阻和低栅极电荷，适用于高效率工业电源与电机驱动应用，更多详情参数或规格书请联系 NTMFS6H852NLT1G 供货情况 NTMFS6H852NLT1G 产品购买 NTMFS6H852NLT1G 中文资料-数据手册-PDF资料 制造商: onsemi 产品种类: MOSFET 技术: Si 安装风格
NTMFS6H848NLT1G 是一款低导通电阻 N 沟道功率 MOSFET，专为高效率电源和负载控制设计。器件支持较高漏极电流和耐压等级，导通损耗小、开关速度快，可在有限 PCB 空间内满足高功率密度需求，广泛适用于适配器、电源模块、电机控制板等，更多详情参数或规格书请联系 NTMFS6H848NLT1G 供货情况 NTMFS6H848NLT1G 产品购买 NTMFS6H848NLT1G 中文资料-数据手册-PDF资料 制造商: onsemi 产品种类: MOSFET 技术:
BQ25883RGER 是一款面向双节锂电池（2S）的高集成度充电管理芯片，适用于工业手持设备、智能工具、便携仪表、无人机电池组等中高功率应用场景。，BQ25883RGER 功能介绍与应用优势 BQ25883RGER 是一款面向双节锂电池（2S）的高集成度充电管理芯片，适用于工业手持设备、智能工具、便携仪表、无人机电池组等中高功率应用场景。它将 高效充电、电源路径管理和多重安全保护 集成在一颗芯片中，帮助厂商在有限的板空间内实现稳定可靠的电池供电系统。 核心功能亮点 双节锂电池智能充电 专为 2
1550nm-TX/1310nm-RX 10km LC DOM（工业级）产品适用于:网卡、集线器、交换机、电脑主板、路由器、光端机、SDH、PDH、IP电话、ADSL/VDSL MODEM、蓝光DVD、数字机顶盒、网络摄像机、硬盘播放机、安防等网络通讯设备。，泰瑞康（Trxcom）TS-BL55311G-10I 1000BASE-BX SFP光模块（单模，1550nm-TX/1310nm-RX，10km，LC，DOM，工业级）泰瑞康（Trxcom）TS-BL55311G-10I SFP
产品适用于:网卡、集线器、交换机、电脑主板、路由器、光端机、SDH、PDH、IP电话、ADSL/VDSL MODEM、蓝光DVD、数字机顶盒、网络摄像机、硬盘播放机、安防等网络通讯设备。，
"ESP32-WROOM-32E-N4现货速发！搭载双核处理器与Wi-Fi/蓝牙双模，赋能智能家居、工业自动化等场景，助您项目快速落地，抢占物联网先机。"，在物联网（IoT）技
2EDN7533BXTSA1 PG-SOT23-6 封装，峰值驱动电流 ±5A，传播延迟典型值 19ns，具备精确时序与高鲁棒性，工业级标准，无铅无卤素，符合 RoHS.，一，核心参数 通道配置：双通道低边，独立输入 / 输出。 电源电压：VCC 4.2V~20V，欠压锁定（UVLO）开启 4.2V、关闭 3.9V（带滞回）。 驱动能力：源极 / 灌极峰值电流均为 ±5A，灌极输出电阻典型值 0.35Ω。 时序性能：传播延迟典型值
SN74LVC245是8路收发器，在发送和接收方向均具有同相三态总线兼容输出。该电路具有易于级联的输出使能输入（OE）和用于方向控制的发送/接收输入（DIR）。OE控制输出，以便有效隔离总线，商品概述 SN74LVC245是8路收发器，在发送和接收方向均具有同相三态总线兼容输出。该电路具有易于级联的输出使能输入（OE）和用于方向控制的发送/接收输入（DIR）。OE控制输出，以便有效隔离总线。 输入可由3.3V或5V器件驱动。失能时，最高可将5.5V施加到输出。这些功能允许在3.3V和5V混合应用中使用这
NTMFS4C06NT3G 是一款面向中低压电源应用的 N 沟道功率 MOSFET，具有导通电阻低、开关速度快、封装紧凑等特点，适合在高效率、紧凑布局的电路中使用，NTMFS4C06NT3G 是一款面向中低压电源应用的 N 沟道功率 MOSFET，具有导通电阻低、开关速度快、封装紧凑等特点，适合在高效率、紧凑布局的电路中使用。 在典型应用中，NTMFS4C06NT3G 常被用作直流电机驱动、负载开关、DC‑DC 电源转换级以及主板、通信设备中的电源管理开关器件。器件在较低栅极驱动电压下即可获得较小的导通
