BSP317PH6327XTSA1 60000PCS ，型号 BSP317PH6327XTSA1 品牌 INFINEON 封装 SOT-223 漏源电压（Vdss）250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 430mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 4 欧姆 @ 430mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2V @ 370µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)
L6599ADTR 是意法半导体（STMicroelectronics）公司生产的一款高性能双半桥共振控制器。它主要用于谐振半桥拓扑电路。，L6599ADTR 是意法半导体（STMicroelectronics）公司生产的一款高性能双半桥共振控制器。它主要用于谐振半桥拓扑电路，以下是详细介绍：特点：50%_互补占空比：高侧开关和低侧开关以 180° 异相驱动，占空比为 50%，可实现高效能量转换。频率调制稳压：通过调制工作频率来调节输出电压，能精准控制输出。软开关特性：内部
AD8639ARZ 是 Analog Devices（ADI）公司推出的一款高性能双通道精密放大器，AD8639ARZ 是 Analog Devices（ADI）公司推出的一款高性能双通道精密放大器，以下将从其特点、应用、参数等维度展开介绍：产品特点高精度直流特性：输入偏移电压极低，典型值仅为 3μV，最大值不超过 100μV，能确保高精度信号处理；输入偏移电压温漂也非常低，仅为 0.04μV/°C，在宽温度范围内可保持稳定性能。低噪声特性：电压噪声密度仅为 8nV/√Hz（10k
TAJA106K016RNJ 是 AVX 公司生产的一款贴片钽电容。，电容值与容差：电容值为 10μF，容差为 ±10%。 额定电压：额定电压是 16V。 等效串联电阻：在 100kHz 时，等效串联电阻（ESR）为 3Ω。 工作温度范围：工作温度范围为 - 55℃至 + 125℃，能适应较宽的温度环境。 封装尺寸：采用 3216 封装，属于 A 型电容，尺寸较小，便于在电路板上节省空间，适合自动化装配。 应用范围：主要应用于一般低功率 DC/DC 和 LDO 电路，也可用于音响系统、全球定位系
US1M-13-F DIODES(美台) SMA ，US1M-13-F 品牌：DIODES(美台) 封装：SMA 工作电流：1A 类目： 快恢复/高效率二极管
AQY211G2S 通常指的是国晶微半导体（SUPSiC）生产的一款固态继电器，信息 品牌：SUPSiC（国晶微半导体） 封装形式：SOP-4 触点形式：SPST-NO（1 Form A），即单刀单掷常开型。 电气参数 正向压降（Vf）：1.2V。 负载电压：40V。 连续负载电流：2.5A。 导通电阻：60mΩ。 工作原理：固态继电器是由微电子电路、分立电子器件、电力电子功率器件组成的无触点开关，通过隔离器件实现控制端与负载端的隔离，能够用微小的控制信号直接驱动大电流负载。 应用领域
ADV7611BSWZ 是亚德诺（ADI）公司推出的一款低功耗、高性能的视频 IC，主要用于处理和输出高清视频信号，ADV7611BSWZ 是亚德诺（ADI）公司推出的一款低功耗、高性能的视频 IC，主要用于处理和输出高清视频信号，以下是详细介绍：功能特性：高清接口支持：支持高清多媒体接口（HDMI）1.4a 功能，TMDS 时钟频率最高可达 165MHz，可接收和解码全高清 HDMI 信号。3D 视频支持：支持所有强制性和附加 3D 视频格式，能满足 3D 显示设备的需求。
PCA9564PW，PCA9564PW 是 NXP Semiconductors 生产的一款用于并行总线至 I²C 总线转换的接口集成电路，以下从其特点、工作原理、应用等方面进行详细介绍：特点电压范围宽：工作电压范围为 2.3V 至 3.6V，能够适应多种不同的电源电压环境，增强了其在不同电路系统中的通用性。多种工作模式：支持 I2C 总线的标准模式、快速模式、快速模式 Plus 等，数据传输速率最高可达 1Mbit/s，满足不同设备对数据传输速度的要求。引脚数量与封装形式
NTMFS4C10NCT1G，更多详情参数或规格书请联系 NTMFS4C10NCT1G 供货情况 NTMFS4C10NCT1G 产品购买 NTMFS4C10NCT1G 中文资料-数据手册-PDF资料 制造商: onsemi 产品种类: MOSFET 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SO-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流: 15 A Rds
NTMFS4C13NT1G，更多详情参数或规格书请联系 NTMFS4C13NT1G供货情况 NTMFS4C13NT1G产品购买 NTMFS4C13NT1G中文资料-数据手册-PDF资料 制造商: onsemi 产品种类: MOSFET 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SO-8FL-4 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流: 38 A Rds On-
GRM1885C2E100JW07D MURATA/村田，参数类别__具体参数尺寸规格__英寸：0603；公制：1608（长 1.6±0.1mm，宽 0.8±0.1mm ，厚度 0.8±0.1mm ）电容值__10pF电容公差__±5%温度特性__C0G（NP0），TC0±30ppm/℃（25℃至 125℃温度范围内）额定电压_&nbs
ISO1050DUBR 是德州仪器（TI）推出的一款隔离式 5V CAN 收发器。，封装与引脚：采用 SOP - 8 封装，有 8 个引脚，这种封装形式便于表面贴装，节省电路板空间。 电气特性： 隔离电压：采用氧化硅（SiO₂）绝缘隔栅，能提供高达 2500V RMS 的电隔离能力，可有效防止数据总线或其他电路上的噪声电流进入本地接地，保护敏感电路。 工作电压：工作电压范围一般为 4.5V 至 5.5V，典型工作电流为 18mA。 数据传输速率：符合 ISO11898 - 2 标准，支持高达 1M
BSP297H6327XTSA1 60000PCS 现货供应 欢迎来电咨询，型号 BSP297H6327XTSA1 品牌 Infineon 封装 SOT-223 FET 类型 N 通道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss） 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 660mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 1.8 欧姆 @ 660mA，10V 不同 I
从型号格式来看，它可能属于贴片电感器、电容器或小型连接器等无源器件，频点：50MHz。 工作电压：1.8V-3.3V。 常温频差：±10PPM。 工作温度：-40℃-85℃。 输出模式：CMOS。 封装：SMD3225-4P。 商品毛重：0.046 克。 频率稳定度：±20PPM（全温度范围）。
ZLDO1117GTA DIODES(美台) SOT-223-4 现货供应 欢迎来电咨询，ZLDO1117GTA 品牌：DIODES(美台) 封装：SOT-223-4 工作电压：18V 工作电流：1A 通道数：1 类目：线性稳压器(LDO)
采用半导体晶闸管结构，在30A浪涌冲击下仍能将电压钳位在40V以内，对比传统TVS方案，其能量吸收能力提升3倍。实测数据：在8/20μs波形冲击后，器件参数无漂移，寿命远超MOV类器件。”，核心参数与专业优势 工作电压：15V（适合低压信号线路保护，如RS-485/CAN总线）。 浪涌能力：±30A（8/20μs），单脉冲抗冲击，符合 IEC61000-4-5 标准。 钳位电压：低至 40V（@30A），快速抑制过压，保护后端IC。 响应时间：
“MPMT2002AT1 通过优化沟道技术，在同等规格下实现比竞品低15%的导通损耗，搭配DPAK封装的热阻优势，成为高密度电源设计的理想选择，关键参数 电压/电流：200V耐压，20A持续电流（@25°C），满足高压大电流场景。 导通电阻（RDS(on)）：仅 8.5mΩ（@VGS=10V），大幅降低传导损耗。 开关性能：Qg（栅极电荷）18nC，优化高频开关效率。 热性能：结温范围 -55°C至+175°C，支持高温环境稳定运行。 封装：TO-252（DPAK），兼容主流贴片工艺，散
SN74LVC2G17DBVR 是德州仪器（TI）推出的一款双通道施密特触发器缓冲器，属于逻辑门电路。，特性： 宽电源电压范围：工作电源电压为 1.65V 至 5.5V，支持 5V 电源操作，输入可接受最高 5.5V 的电压。 施密特触发输入：具有施密特触发特性，可对缓慢变化或噪声较大的输入信号进行整形，输出干净的方波信号，且正向和负向输入阈值电平不同。 高速传播延迟：在 3.3V 电源电压下，最大传播延迟时间为 5.4ns，在 5V 电源电压下为 4.3ns，能满足高速信号处理需求。 低功耗：静
SN65HVD230DR 采用 8 引脚 SOIC 封装，内部集成差分收发器、逻辑控制单元和保护电路。，一、核心架构与引脚功能 VCC（引脚 1）：3.3V 单电源输入，需并联 10μF 电解电容 + 0.1μF 陶瓷电容组合滤波，抑制电源纹波。 GND（引脚 2）：数字地与模拟地需单点连接，避免地弹干扰。 TXD（引脚 3）：TTL 电平发送输入，直接连接 MCU 的 CAN_TX 引脚，高电平对应 CAN 总线隐性状态。 RXD（引脚 4）：TTL 电平接收输出，输出逻辑与 CAN 总线显性
BSP300L6327HUSA1 60000PCS 现货供应 欢迎来电咨询，型号 BSP300L6327HUSA1 品牌 INFINEON 批次 SOT-223 FET 类型 N 通道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss） 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 190mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 20 欧姆 @ 190mA，10V 不同 Id 时 Vg
LTC1982ES6#TRPBF 是一款由亚德诺（ADI）公司生产的栅极驱动器，LTC1982ES6#TRPBF 是一款由亚德诺（ADI）公司生产的栅极驱动器。以下是其详细介绍：产品特点：低功耗设计：属于低功率的独立型 N 沟道 MOSFET 驱动器，静态电流低，停机电流低于 1µA，适用于电池供电等功率受限系统。无需外部组件：内部集成电压三倍器，无需额外外部组件即可驱动栅极，简化电路设计。栅极电压保护：栅极驱动电压在内部箝位于 7.5V，可保护外部 MOSFET 栅极免受
STW81102ATR 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款集成射频合成器锁相环芯片，STW81102ATR 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款集成射频合成器锁相环芯片。以下是其相关介绍：主要特点：集成度高：内置整数 N 频率合成器和两个完全集成的压控振荡器（VCO），是分立式 PLL 和 VCO 解决方案的低成本单芯片替代方案。频率范围广：具有双差分集成 VCO，通过自动中心频率校准，可覆盖多个频段，直接输出频率范围为 300
FP1007R3-R15-R原装现货价格好，FP1007R3-R15-R原装现货价格好 FP1007R3-R15-R原装现货价格好 代理现货FP1007R3-R15-R 供应 有关咨询FP1007R3-R15-R 价格 FP1007R3-R15-R 供货情况 FP1007R3-R15-R 库存数量 FP1007R3-R15-R 规格书 FP1007R3-R15-R 产品购买，请联系！ 产品属性 属性值 选择属性 制造商: Eaton 产品种类: 功率电感器（SMD型） RoHS:
SGM48000XS8G/TR优势出现货，SGM48000XS8G/TR 凭借高速、低功耗和宽工作范围的特性，在中低端电源管理和电机驱动领域具有显著竞争力。尽管已停产，但通过合理的供应链管理和替代方案规划，仍可在现有项目中有效利用其性价比优势。对于新项目，建议优先采用 SGM48000/1/2 系列，并关注圣邦微后续推出的升级型号（如支持氮化镓器件驱动的产品），以适应技术演进需求
八通道 400 MHz 超宽带 RF Transceiver，专为 5G/毫米波/相控阵/卫星终端打造的“射频中枢”。下面用 6 组硬核指标，一口气看懂它为何能把传统“FPGA+四颗RFIC”的板卡直接打成邮票大小，场景直击 • 5G 宏基站：单颗驱动 64T64R Massive-MIMO，功耗直降 30 %。 • 低轨卫星终端：多频点同时锁定，星地切换
