AQY211G2S 通常指的是国晶微半导体（SUPSiC）生产的一款固态继电器，信息 品牌：SUPSiC（国晶微半导体） 封装形式：SOP-4 触点形式：SPST-NO（1 Form A），即单刀单掷常开型。 电气参数 正向压降（Vf）：1.2V。 负载电压：40V。 连续负载电流：2.5A。 导通电阻：60mΩ。 工作原理：固态继电器是由微电子电路、分立电子器件、电力电子功率器件组成的无触点开关，通过隔离器件实现控制端与负载端的隔离，能够用微小的控制信号直接驱动大电流负载。 应用领域
ADV7611BSWZ 是亚德诺（ADI）公司推出的一款低功耗、高性能的视频 IC，主要用于处理和输出高清视频信号，ADV7611BSWZ 是亚德诺（ADI）公司推出的一款低功耗、高性能的视频 IC，主要用于处理和输出高清视频信号，以下是详细介绍：功能特性：高清接口支持：支持高清多媒体接口（HDMI）1.4a 功能，TMDS 时钟频率最高可达 165MHz，可接收和解码全高清 HDMI 信号。3D 视频支持：支持所有强制性和附加 3D 视频格式，能满足 3D 显示设备的需求。
PCA9564PW，PCA9564PW 是 NXP Semiconductors 生产的一款用于并行总线至 I²C 总线转换的接口集成电路，以下从其特点、工作原理、应用等方面进行详细介绍：特点电压范围宽：工作电压范围为 2.3V 至 3.6V，能够适应多种不同的电源电压环境，增强了其在不同电路系统中的通用性。多种工作模式：支持 I2C 总线的标准模式、快速模式、快速模式 Plus 等，数据传输速率最高可达 1Mbit/s，满足不同设备对数据传输速度的要求。引脚数量与封装形式
NTMFS4C10NCT1G，更多详情参数或规格书请联系 NTMFS4C10NCT1G 供货情况 NTMFS4C10NCT1G 产品购买 NTMFS4C10NCT1G 中文资料-数据手册-PDF资料 制造商: onsemi 产品种类: MOSFET 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SO-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流: 15 A Rds
NTMFS4C13NT1G，更多详情参数或规格书请联系 NTMFS4C13NT1G供货情况 NTMFS4C13NT1G产品购买 NTMFS4C13NT1G中文资料-数据手册-PDF资料 制造商: onsemi 产品种类: MOSFET 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SO-8FL-4 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流: 38 A Rds On-
GRM1885C2E100JW07D MURATA/村田，参数类别__具体参数尺寸规格__英寸：0603；公制：1608（长 1.6±0.1mm，宽 0.8±0.1mm ，厚度 0.8±0.1mm ）电容值__10pF电容公差__±5%温度特性__C0G（NP0），TC0±30ppm/℃（25℃至 125℃温度范围内）额定电压_&nbs
ISO1050DUBR 是德州仪器（TI）推出的一款隔离式 5V CAN 收发器。，封装与引脚：采用 SOP - 8 封装，有 8 个引脚，这种封装形式便于表面贴装，节省电路板空间。 电气特性： 隔离电压：采用氧化硅（SiO₂）绝缘隔栅，能提供高达 2500V RMS 的电隔离能力，可有效防止数据总线或其他电路上的噪声电流进入本地接地，保护敏感电路。 工作电压：工作电压范围一般为 4.5V 至 5.5V，典型工作电流为 18mA。 数据传输速率：符合 ISO11898 - 2 标准，支持高达 1M
BSP297H6327XTSA1 60000PCS 现货供应 欢迎来电咨询，型号 BSP297H6327XTSA1 品牌 Infineon 封装 SOT-223 FET 类型 N 通道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss） 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 660mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 1.8 欧姆 @ 660mA，10V 不同 I
从型号格式来看，它可能属于贴片电感器、电容器或小型连接器等无源器件，频点：50MHz。 工作电压：1.8V-3.3V。 常温频差：±10PPM。 工作温度：-40℃-85℃。 输出模式：CMOS。 封装：SMD3225-4P。 商品毛重：0.046 克。 频率稳定度：±20PPM（全温度范围）。
ZLDO1117GTA DIODES(美台) SOT-223-4 现货供应 欢迎来电咨询，ZLDO1117GTA 品牌：DIODES(美台) 封装：SOT-223-4 工作电压：18V 工作电流：1A 通道数：1 类目：线性稳压器(LDO)
采用半导体晶闸管结构，在30A浪涌冲击下仍能将电压钳位在40V以内，对比传统TVS方案，其能量吸收能力提升3倍。实测数据：在8/20μs波形冲击后，器件参数无漂移，寿命远超MOV类器件。”，核心参数与专业优势 工作电压：15V（适合低压信号线路保护，如RS-485/CAN总线）。 浪涌能力：±30A（8/20μs），单脉冲抗冲击，符合 IEC61000-4-5 标准。 钳位电压：低至 40V（@30A），快速抑制过压，保护后端IC。 响应时间：
“MPMT2002AT1 通过优化沟道技术，在同等规格下实现比竞品低15%的导通损耗，搭配DPAK封装的热阻优势，成为高密度电源设计的理想选择，关键参数 电压/电流：200V耐压，20A持续电流（@25°C），满足高压大电流场景。 导通电阻（RDS(on)）：仅 8.5mΩ（@VGS=10V），大幅降低传导损耗。 开关性能：Qg（栅极电荷）18nC，优化高频开关效率。 热性能：结温范围 -55°C至+175°C，支持高温环境稳定运行。 封装：TO-252（DPAK），兼容主流贴片工艺，散
SN74LVC2G17DBVR 是德州仪器（TI）推出的一款双通道施密特触发器缓冲器，属于逻辑门电路。，特性： 宽电源电压范围：工作电源电压为 1.65V 至 5.5V，支持 5V 电源操作，输入可接受最高 5.5V 的电压。 施密特触发输入：具有施密特触发特性，可对缓慢变化或噪声较大的输入信号进行整形，输出干净的方波信号，且正向和负向输入阈值电平不同。 高速传播延迟：在 3.3V 电源电压下，最大传播延迟时间为 5.4ns，在 5V 电源电压下为 4.3ns，能满足高速信号处理需求。 低功耗：静
SN65HVD230DR 采用 8 引脚 SOIC 封装，内部集成差分收发器、逻辑控制单元和保护电路。，一、核心架构与引脚功能 VCC（引脚 1）：3.3V 单电源输入，需并联 10μF 电解电容 + 0.1μF 陶瓷电容组合滤波，抑制电源纹波。 GND（引脚 2）：数字地与模拟地需单点连接，避免地弹干扰。 TXD（引脚 3）：TTL 电平发送输入，直接连接 MCU 的 CAN_TX 引脚，高电平对应 CAN 总线隐性状态。 RXD（引脚 4）：TTL 电平接收输出，输出逻辑与 CAN 总线显性
BSP300L6327HUSA1 60000PCS 现货供应 欢迎来电咨询，型号 BSP300L6327HUSA1 品牌 INFINEON 批次 SOT-223 FET 类型 N 通道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss） 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 190mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 20 欧姆 @ 190mA，10V 不同 Id 时 Vg
LTC1982ES6#TRPBF 是一款由亚德诺（ADI）公司生产的栅极驱动器，LTC1982ES6#TRPBF 是一款由亚德诺（ADI）公司生产的栅极驱动器。以下是其详细介绍：产品特点：低功耗设计：属于低功率的独立型 N 沟道 MOSFET 驱动器，静态电流低，停机电流低于 1µA，适用于电池供电等功率受限系统。无需外部组件：内部集成电压三倍器，无需额外外部组件即可驱动栅极，简化电路设计。栅极电压保护：栅极驱动电压在内部箝位于 7.5V，可保护外部 MOSFET 栅极免受
STW81102ATR 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款集成射频合成器锁相环芯片，STW81102ATR 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款集成射频合成器锁相环芯片。以下是其相关介绍：主要特点：集成度高：内置整数 N 频率合成器和两个完全集成的压控振荡器（VCO），是分立式 PLL 和 VCO 解决方案的低成本单芯片替代方案。频率范围广：具有双差分集成 VCO，通过自动中心频率校准，可覆盖多个频段，直接输出频率范围为 300
FP1007R3-R15-R原装现货价格好，FP1007R3-R15-R原装现货价格好 FP1007R3-R15-R原装现货价格好 代理现货FP1007R3-R15-R 供应 有关咨询FP1007R3-R15-R 价格 FP1007R3-R15-R 供货情况 FP1007R3-R15-R 库存数量 FP1007R3-R15-R 规格书 FP1007R3-R15-R 产品购买，请联系！ 产品属性 属性值 选择属性 制造商: Eaton 产品种类: 功率电感器（SMD型） RoHS:
SGM48000XS8G/TR优势出现货，SGM48000XS8G/TR 凭借高速、低功耗和宽工作范围的特性，在中低端电源管理和电机驱动领域具有显著竞争力。尽管已停产，但通过合理的供应链管理和替代方案规划，仍可在现有项目中有效利用其性价比优势。对于新项目，建议优先采用 SGM48000/1/2 系列，并关注圣邦微后续推出的升级型号（如支持氮化镓器件驱动的产品），以适应技术演进需求
八通道 400 MHz 超宽带 RF Transceiver，专为 5G/毫米波/相控阵/卫星终端打造的“射频中枢”。下面用 6 组硬核指标，一口气看懂它为何能把传统“FPGA+四颗RFIC”的板卡直接打成邮票大小，场景直击 • 5G 宏基站：单颗驱动 64T64R Massive-MIMO，功耗直降 30 %。 • 低轨卫星终端：多频点同时锁定，星地切换
把AC→DC 整流、SiC 驱动、数字孪生控制和安全监控四颗传统芯片，一次性塞进 7 mm×7 mm 封装里。不是普通 IC，它是 2 MW 液冷超充整桩的「电力大脑」——一颗车规级高压电源管理 SoC，把 AC→DC 整流、SiC 驱动、数字孪生控制和安全监控四颗传统芯片，一次性塞进 7 mm×7 mm 封，三大亮点 2000 kW 液冷超充，15 min 补能 600 km，SOC 30-80 %_只需一杯咖啡。 四路独立 500 kW 输出，重卡、大巴、乘用车同站混充，不挑枪。 碳化硅+数字孪
TLE4484G 贴片SOT223 INFINEON/英飞凌 低压差稳压器 一站式bom配单，Infineon 代理分销 TLE4484G 代理 TLE4484G其他参数联系客服 TLE4484G 替代型号 TLE4484G停产了吗 TLE4484G现货5k TLE4484G哪一年停产的 TLE4484G最小包装 TLE4484G PDF文件 规格书 TLE4484G 最新年份是什么时候 TLE4484G 规格书 TLE4484G电压 TLE4484G 电流 陈嘉嘉1893
BSP322PH6327XTSA1 60000PCS 现货供应 欢迎来电咨询，型号 BSP322PH6327XTSA1 品牌 INFINEON 封装 SOT-223 漏源电压（Vdss）100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 800 毫欧 @ 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1V @ 380µA 不同 Vgs 时
OP400GSZ 是亚德诺半导体（Analog Devices）推出的一款四通道精密运算放大器，具有低失调电压、低功耗等特点，适用于通讯、仪器、音频视频显示等领域。，OP400GSZ 是亚德诺半导体（Analog Devices）推出的一款四通道精密运算放大器，具有低失调电压、低功耗等特点，适用于通讯、仪器、音频视频显示等领域。以下是详细介绍：主要特点低输入失调电压：最大为 150μV，在整个军用温度范围内，漂移小于 1.2μV/°C，能确保信号放大的准确性。高开环增益：开环增益超
TLC3702IDR 是德州仪器（Texas Instruments）推出的一款双微功耗 LinCMOS® 模拟比较器，TLC3702IDR 是德州仪器（Texas Instruments）推出的一款双微功耗 LinCMOS® 模拟比较器，以下将从其特点、参数、应用等方面进行详细介绍：特点推挽 CMOS 输出：采用推挽 CMOS 输出阶段，能够直接驱动电容负载，无需额外的上拉电阻，有助于减少功耗、节省电路板空间并降低组件成本。低功耗：在 5V 供电时，典型功耗仅为 100µW，适合
