74HC373D 是一款 8 位透明锁存器，采用高性能高速 CMOS 技术，兼容标准 TTL 电平。其内部集成八个 D 型透明锁存单元，带三态输出，适用于总线驱动、数据锁存和地址锁存等场合，产品属性 属性值 选择属性 制造商: Toshiba 产品种类: 闭锁 RoHS: 逻辑类型: CMOS 逻辑系列: HC 电路数量: 8 Circuit 输出线路数量: 8 Line 封装 / 箱体: SOIC-14 传播延迟时间: 12 ns 静态电流: 4 uA 低电
NCV8440STCT1G 60000PCS ，型号 NCV8440STCT1G 品牌 Infineon/英飞凌 封装 SOT-223 FET 类型 N 沟道，耗尽型 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 210mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 0V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）18 欧姆 @ 210mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大
2ED2732S01GXTMA1 是英飞凌（Infineon）MOTIX™系列的 160V 高压侧 / 低压侧 SOI 栅极驱动器，集成超快自举二极管，采用 3×3mm VSON10 封装，专为 N 沟道 MOSFET 驱动设计，适用于工业与消费级低压电机驱动及电池供电设备。，一，核心概述 该器件基于 SOI 技术，支持自举供电，具备独立高低压欠压锁定（UVLO）、施密特触发输入、脉冲 / 噪声抑制滤波器，兼容 3.3V/5V 逻辑，输出与输入同相，ESD 等级达 2kV HBM，符合 RoHS 标准，
MT8831A 是一款面向家电、电机控制板和小型工业设备的专用芯片，主要用来完成 电机/负载驱动、电源相关控制以及基础保护 等功能。，MT8831A 芯片应用与功能简介MT8831A 是一款面向家电、电机控制板和小型工业设备的专用芯片，主要用来完成 电机/负载驱动、电源相关控制以及基础保护 等功能。它的设计思路比较偏实用型：把常用的驱动、电源和保护电路集成到一颗芯片里，让整块控制板的元件数量更少，布板更简单，也方便做小体积、低成本方案。在实际项目中，MT88
74AVC4T245QRGYRQ1 Texas Instruments 转换 - 电压电平 VQFN-16 ，产品属性 属性值 选择属性 制造商: Texas Instruments 产品种类: 转换 - 电压电平 RoHS: 类型: Level-Shifting Transceiver 数据速率: 380 Mb/s 封装 / 箱体: VQFN-16 电源电压-最大: 3.6 V 电源电压-最小: 1.2 V 系列: SN74AVC4T245 传播延迟时间:
这款N沟道逻辑电平MOSFET专为提高采用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。 与其他具有类似漏源导通电阻（RDS(on)）规格的MOSFET相比，这些MOSFET具有更快的开关速度和更低的栅极电荷，从而使DC/DC电源设计具有更高的整体效率，商品概述 这款N沟道逻辑电平MOSFET专为提高采用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。 与其他具有类似漏源导通电阻（RDS(on)）规格的MOSFET相比，这些MOSFET具有更快的开关速度和更低的栅极电荷，从
MT9105ET 它的特点是 外围元件少、集成度高、成本可控，对很多中小功率场景来说，比较适合作为“单板一颗主控 + 一颗驱动/电源”的搭配方案。，MT9105ET 是一款面向小型电机/家电/控制板等应用的专用芯片，一般用于完成电机驱动、电源管理和信号检测等功能。它的特点是 外围元件少、集成度高、成本可控，对很多中小功率场景来说，比较适合作为“单板一颗主控 + 一颗驱动/电源”的搭配方案。从定位上看，MT9105ET 通常有以下几个特点：适合用在 家电主板、小家电控制、电
优秀企业上海毅笃的介绍与推荐，敬请关注！，在功率半导体技术飞速迭代、市场需求持续升级的当下，上海毅笃功率半导体科技有限公司（Shanghai Yea-do Power Semi conductor Technology Co.,Ltd.）于2023年10月8日正式注册成立。公司凝聚多年人才储备与市场调研的深厚积淀，以“毅心一致，笃定前行”为核心信念，专注于功率 MOSFET 领域的技术创新与产品研发，致力于成为全球领先的功率半导体解决方案提供商，为现代功率器件发展注入强劲动力。 一、核心技术：突破极
74AVC4T245GU XQFN-16 转换 - 电压电平，产品属性 属性值 选择属性 制造商: Nexperia 产品种类: 转换 - 电压电平 商标: Nexperia 逻辑系列: AVC 产品类型: Translation - Voltage Levels 子类别: Logic ICs
CC1190RGVR 是一款针对亚 GHz 频段无线应用设计的射频前端芯片，常与 TI 的 CC1101、CC1120 等收发器配合使用，用来提升发射功率和接收灵敏度，从而在相同条件下获得更远的通信距离和更高的链路可靠性，CC1190RGVR 是一款针对亚 GHz 频段无线应用设计的射频前端芯片，常与 TI 的 CC1101、CC1120 等收发器配合使用，用来提升发射功率和接收灵敏度，从而在相同条件下获得更远的通信距离和更高的链路可靠性。 从功能上看，它主要集成了以下几部分： 功率放大器（PA）：用
MAX6369KA+T是一款电源监视器监控电路芯片，采用SOT-23-8封装，工作温度范围为-40°C至125°C。该芯片的复位阀值电压可调节，输出为开路漏极或开路集电极，复位超时时间也可选择。，商品概述 MAX6369–MAX6374 是引脚可选的看门狗定时器，用于监控微处理器 (μP) 的活动，并在系统运行不正常时发出信号。在正常运行期间，微处理器应在所选的看门狗超时时间到期之前反复切换看门狗输入 (WDI)，以表明系统正在正确处理代码。如果 μP 在超时时间到期之前未提供有效的看门狗输入转换，监控
10M08DCV81I7G是英特尔MAX 10系列的FPGA芯片，采用55nm工艺，支持双配置闪存和嵌入式ADC，适合工业控制和通信场景。，产品属性 属性值 选择属性 制造商: Altera 产品种类: FPGA - 现场可编程门阵列 RoHS: 系列: MAX 10 10M08 逻辑元件数量: 8000 LE 嵌入式内存: 378 kbit 输入/输出端数量: 56 I/O 电源电压-最小: 1.15 V 电源电压-最大: 1.25 V 最小工作温度: - 40
ISP452HUMA1 贴片SOT-223-4 电源开关 IC - 配电 一站式bom配单，Infineon 代理分销 ISP452HUMA1现货10k ISP452HUMA1代理 ISP452HUMA1其他参数联系客服 ISP452HUMA1停产了吗 ISP452HUMA1现货5k ISP452HUMA1最小包装 ISP452HUMA1 PDF文件 规格书 ISP452HUMA1 最新年份是什么时候 ISP452HUMA1规格书 ISP452HUMA1电压 ISP452HUMA1电
RTS5411S-GR USB转换芯片是一款广泛应用于电子设备中的关键元件，它主要承担着USB接口信号转换与传输的重要功能。， RTS5411S-GR USB转换芯片是一款广泛应用于电子
SCT2231TVBR 是一款由 芯洲科技（SCT） 推出的同步降压型DC-DC转换器，专为高效电源管理设计.，
LMV331IDBVR 是一款低功耗、低电压单路比较器，支持宽电源电压范围，具备开漏输出，适用于电池供电设备、电压监测、零交叉检测等通用模拟比较应用，更多详情参数或规格书请联系 LMV331IDBVR 供货情况 LMV331IDBVR 产品购买 LMV331IDBVR 中文资料-数据手册-PDF资料 制造商: Texas Instruments 产品种类: 模拟比较器 RoHS: 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOT-23-5 通道数量: 1 Chann
聚合物电容器CAP TANT POLY 100UF 16V 2917，16TQC100MYF电容器钽 属性 参数值 商品目录 钽电容 容值 100uF 精度 ±20%_属性 参数值 额定电压 16V 等效串联电阻(ESR) 50mΩ@100kHz 工作温度 -55℃~+105℃
10M02SCM153C8G Altera FPGA - 现场可编程门阵列 MBGA-153，产品属性 属性值 选择属性 制造商: Altera 产品种类: FPGA - 现场可编程门阵列 RoHS: 系列: MAX 10 10M02 逻辑元件数量: 2000 LE 嵌入式内存: 108 kbit 输入/输出端数量: 112 I/O 电源电压-最小: 2.85 V 电源电压-最大: 3.465 V 最小工作温度: 0 C 最大工作温度: + 85 C 安装
BSP320SH6433XTMA1 60000PCS ，型号 BSP320SH6433XTMA1 品牌 Infineon/英飞凌 封装 SOT-223 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss） 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 660mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 1.8 欧姆 @ 660mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）1.8V @
TLE42744GSV33HTMA1 贴片SOT223 - 4 低压差特性 一站式配单，Infineon 代理分销 TLE42744GSV33HTMA1现货10k TLE42744GSV33HTMA1 代理 TLE42744GSV33HTMA1 其他参数联系客服 TLE42744GSV33HTMA1停产了吗 TLE42744GSV33HTMA1现货5k TLE42744GSV33HTMA1最小包装 TLE42744GSV33HTMA1PDF文件 规格书 TLE42744GSV33HTMA1
NTMFS6H836NLT1G，更多详情参数或规格书请联系 NTMFS6H836NLT1G 供货情况 NTMFS6H836NLT1G 产品购买 NTMFS6H836NLT1G 中文资料-数据手册-PDF资料 制造商: onsemi 产品种类: MOSFET 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SO-8FL-4 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 80 V Id-连续漏极电流: 7
NTMFS6H824NLT1G，更多详情参数或规格书请联系 NTMFS6H824NLT1G 供货情况 NTMFS6H824NLT1G 产品购买 NTMFS6H824NLT1G 中文资料-数据手册-PDF资料 制造商: onsemi 产品种类: MOSFET 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: DFN-5 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 80 V Id-连续漏极电流: 110
NTMFS6H818NT1G，更多详情参数或规格书请联系 NTMFS6H818NT1G 供货情况 NTMFS6H818NT1G 产品购买 NTMFS6H818NT1G 中文资料-数据手册-PDF资料 制造商: onsemi 产品种类: MOSFET 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SO-8FL-4 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 80 V Id-连续漏极电流: 123 A
NTMFS6H818NLT1G，更多详情参数或规格书请联系 NTMFS6H818NLT1G 供货情况 NTMFS6H818NLT1G 产品购买 NTMFS6H818NLT1G 中文资料-数据手册-PDF资料 制造商: onsemi 产品种类: MOSFET 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SO-8FL-4 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 80 V Id-连续漏极电流: 1
ITS4200SMEPHUMA1 是英飞凌（Infineon）PROFET™系列的单通道智能高压侧功率开关，采用 PG - SOT223 - 4 封装，符合 AEC - Q100 车规级标准，内置垂直功率 FET 与电荷泵，搭配 CMOS 兼容控制接口，适用于 12V/24V 直流系统的电阻性、电感性及电容性负载开关控制，具备完善的保，核心功能与特性 集成驱动与控制：内置电荷泵与 NMOS 功率管，无需额外驱动电路，支持快速去磁电感性负载，关断模式功耗低，优化电磁兼容性（EMC）表现，适配多种负载类型。
