IS62WV51216BLL‑55TLI 是一款低功耗 8Mb（512K × 16）静态随机存取存储器（SRAM），适合对访问速度和功耗要求较高的场合。下面内容可以直接作为资料页正文使用，注意根据你掌握的精确数据适当微调数值即可，IS62WV51216BLL‑55TLI 是一款低功耗 8Mb（512K × 16）静态随机存取存储器（SRAM），适合对访问速度和功耗要求较高的场合。下面内容可以直接作为资料页正文使用，注意根据你掌握的精确数据适当微调数值即可。 一、产品应用与功能简介 IS62WV5121
NTMFS6H800NT1G 是 onsemi 推出的一款 N 沟道功率 MOSFET，具备低导通电阻和优良的开关性能，适用于高效率开关电源、负载开关及电机/继电器驱动等中低压功率应用，更多详情参数或规格书请联系 NTMFS6H800NT1G 供货情况 NTMFS6H800NT1G 产品购买 NTMFS6H800NT1G 中文资料-数据手册-PDF资料 制造商: onsemi 产品种类: MOSFET 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOIC-
NTMFS6H800NLT1G 是 onsemi 推出的一款 N 沟道功率 MOSFET，具有低导通电阻和优良的开关特性，适用于高效率开关电源、负载开关及电机驱动等中低压功率应用，更多详情参数或规格书请联系 NTMFS6H800NLT1G 供货情况 NTMFS6H800NLT1G 产品购买 NTMFS6H800NLT1G 中文资料-数据手册-PDF资料 制造商: onsemi 产品种类: MOSFET 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: DFN-5
NTMFS6D1N08HT1G 是 onsemi 推出的一款 N 沟道功率 MOSFET，具有低导通电阻和优良的开关性能，适用于高效率开关电源、负载开关及电机驱动等应用场景，更多详情参数或规格书请联系 NTMFS6D1N08HT1G 供货情况 NTMFS6D1N08HT1G 产品购买 NTMFS6D1N08HT1G 中文资料-数据手册-PDF资料 制造商: onsemi 产品种类: MOSFET 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SO-8FL-4
BSP316PH6327XTSA1 是英飞凌推出的一款 小信号 P 沟道 MOSFET，适用于空间受限、对效率和开关特性要求较高的应用场景，型号 BSP316PH6327XTSA1 品牌 Infineon/英飞凌 封装 SOT-223 FET 类型 P 通道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss） 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 680mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时
NTMFS6H801NT1G 是安森美（onsemi）推出的一款 N 沟道功率 MOSFET，采用 Power 33（或 SO‑8FL/DFN 類）封装，具备低导通电阻和优良的开关特性，适用于高效率电源管理和负载开关等应用场景，更多详情参数或规格书请联系 NTMFS6H801NT1G 供货情况 NTMFS6H801NT1G 产品购买 NTMFS6H801NT1G 中文资料-数据手册-PDF资料 制造商: onsemi 产品种类: MOSFET 技术: Si 安装风格: SMD
TLE42664GHTMA2 是英飞凌推出的一款低压差精密线性稳压器，适用于汽车电子等对供电稳定性和可靠性要求较高的场合。，Infineon 代理分销 TLE42664GHTMA2现货10k TLE42664GHTMA2代理 TLE42664GHTMA2其他参数联系客服 TLE42664GHTMA2停产了吗 TLE42664GHTMA2现货5k TLE42664GHTMA2最小包装 TLE42664GHTMA2 PDF文件 规格书 TLE42664GHTMA2 最新年份是什么时候 TLE
BQ24610RGER TI(德州仪器) VQFN-24(4x4)现货供应 欢迎来电咨询，BQ24610RGER 品牌：TI(德州仪器) 封装： VQFN-24(4x4) 工作电压： 5V~28V 工作电流：10A 类目：电池管理 BQ24610RGER 是 TI 推出的独立同步开关模式锂电 / 锂聚合物电池充电控制器，支持 5V–28V 输入、最大 10A 充电电流，适配 1–6 节串联锂电，采用 VQFN‑24 封装，具备高精度充电与完善保护，适合工业便携、储能、电动工具等
TLE42662GNTMA1 稳压器 - 线性低压差（LDO）稳压器 贴片SOT-223-4 一站式bom配单，TLE4484GTLE4484G Infineon 代理分销 TLE4484GTLE4484G现货10k TLE4484GTLE4484G代理 TLE4484GTLE4484G其他参数联系客服 TLE4484GTLE4484G停产了吗 TLE4484GTLE4484G现货5k TLE4484GTLE4484G最小包装 TLE4484GTLE4484
BSP321PL6327HTSA1 INFINEON/英飞凌 60000PCS ，型号BSP321PL6327HTSA1 品牌 INFINEON/英飞凌 封装 SOT223 FET 类型 P 通道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss） 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 980mA（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 900 毫欧 @ 980mA，10V 不同 Id
TMUX6136 是一款具有两个独立可选 SPDT 开关的互补金属氧化物半导体 (CMOS) 模拟开关，商品概述 TMUX6136 是一款具有两个独立可选 SPDT 开关的互补金属氧化物半导体 (CMOS) 模拟开关。该器件在双电源（±5V 至 ±16.5V）、单电源（10V 至 16.5V）或非对称电源供电时均能正常运行。数字选择引脚(SELx) 具有兼容晶体管到晶体管逻辑 (TTL) 的阈值，这些阈值可确保 TTL/CMOS 逻辑兼容性。 TMUX6136 会根据 SELx 引脚的状态将两个输入 (
2ED21091S06FXUMA1 是英飞凌专为驱动 N 沟道 MOSFET/SiC MOSFET 与 IGBT 的高低侧拓扑设计，具备强抗扰、可编程死区与宽逻辑兼容，适用工业与汽车级 650V 功率变换场景。，一，适用范围（按领域分类） 工业电机驱动：三相逆变器、伺服驱动器、通用变频器（适配 650V IGBT/SiC MOSFET）。 开关电源与 UPS：图腾柱 PFC、LLC 谐振变换器、半桥 / 全桥离线 AC‑DC、UPS 逆变器与电池充电器。 车
2EDL7125GXUMA1 由 Infineon 出品，属于电源管理 IC 下的栅极驱动器（Gate Driver），归为 EiceDRIVER™系列，用于驱动 MOSFET/IGBT/GaN 等功率器件的栅极，实现高效、可靠的开关控制，是电力电子与电机驱动的关键器件。，一，品牌 / 系列：Infineon EiceDRIVER™；品类：栅极驱动器（Gate Driver）；子类别：PMIC - 电源管理 IC。 二，封装 / 包装：常见卷带（Reel）出货，原厂料号后缀 “GXUMA1” 通常对
NTMFS006N12MCT1G，更多详情参数或规格书请联系 NTMFS006N12MCT1G 供货情况 NTMFS006N12MCT1G 产品购买 NTMFS006N12MCT1G 中文资料-数据手册-PDF资料 制造商: onsemi 产品种类: MOSFET 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SO-8FL-4 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 120 V Id-连续漏极
NTMFS006N08MC，更多详情参数或规格书请联系 NTMFS006N08MC 供货情况 NTMFS006N08MC 产品购买 NTMFS006N08MC 中文资料-数据手册-PDF资料 制造商: onsemi 产品种类: MOSFET 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 80 V Id-连续漏极电流: 32 A Rds On-漏源导通电阻: 6 mOhms
UCC21520DWR TI(德州仪器) SOIC-16-300mil 现货供应 欢迎来电咨询，UCC21520DWR 品牌： TI(德州仪器) 封装：SOIC-16-300mil 工作电压：3V~18V 通道数：2 类目：隔离式栅极驱动器 封装与引脚：采用 SOIC（DW）-16 封装，引脚镀层 / 焊球材料为 NiPdAu。 主要特性 驱动能力强：具有 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流输出，可用于驱动高达 5MHz 的功率 MOSFET、IGBT 和 SiC MOS
SGL0622Z是一款低噪声、高增益的单片微波集成电路（MMIC）低噪声放大器（LNA），专为+2.7 V至+3.6 V的低功耗单电源工作而设计。，商品概述 SGL0622Z是一款低噪声、高增益的单片微波集成电路（MMIC）低噪声放大器（LNA），专为+2.7 V至+3.6 V的低功耗单电源工作而设计。它具备2级静电放电（ESD）保护和高输入过驱动能力，确保了可靠的性能，同时其集成的有源偏置电路可在温度和工艺β值变化时保持稳定的偏置。SGL0622Z在5 MHz至4000 MHz范围内实现了内部匹配，仅
BSP170PE6327T 60000PCS ，型号 BSP170PE6327T 品牌 INFINEON/英飞凌 封装 SOT223 FET 类型 N 通道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.1A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 700 毫欧 @ 1.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）1.8V
ITS724GFUMA1 是英飞凌 Industrial PROFET 系列的 4 通道高端智能功率开关 IC，采用 Smart SIPMOS® 工艺，RoHS 合规，封装为 PG-DSO-20（SOIC-20），卷带 / 盘装供应，后缀 FUMA1 通常对应包装与批次标识，主体功能与 ITS724G 一致，适合 12/24 V 工业配电与负载驱动，可替代，一，核心规格 工作电压 VBB 覆盖 5.5～40 V，兼容 12/24 V 工业总线并支持负载突降（需外接电阻）；工业级宽温 - 3
1P1G3157QDCKRQ1 是一款车规级单刀双掷（SPDT）模拟开关芯片，可在两路信号之间实现 1 选 2 的灵活切换。，1P1G3157QDCKRQ1 是德州仪器推出的一款汽车级单通道 SPDT 模拟开关（1 路 2:1 切换），采用 SC70‑6 小封装，适合在空间紧张的电路板上使用 134。 器件基于 CMOS 工艺设计，在 1.65V～5.5V 供电范围内工作，可用于模拟信号或数字信号的通道切换与复用 134。 典型应用包括： 车载电子（车身控制、信息娱乐系统、传感器信号切换等） 便携
TLE4484G 是一款专为汽车电子设计的双路电源稳压芯片，可在汽车电池电压波动和干扰下，持续输出稳定电压，为 MCU、传感器等关键器件供电.，TLE4484GTLE4484G Infineon 代理分销 TLE4484GTLE4484G现货10k TLE4484GTLE4484G代理 TLE4484GTLE4484G其他参数联系客服 TLE4484GTLE4484G停产了吗 TLE4484GTLE4484G现货5k TLE4484GTLE4484G最小包装 TLE4484GTLE4484
BSP88E6327 是一款 NPN 小信号功率晶体管，具备低饱和压降、快速开关特性和较高电流承载能力，适用于开关驱动、电平转换、小功率放大等应用.，型号 BSP88E6327 品牌 Infineon/英飞凌 封装 SOT-223 FET 类型 P 通道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss） 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 430mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大
TLV61048DBVR SOT23-6 800000PCS，商品概述 TLV61048是一款非同步升压转换器，为采用低压超级电容器和单节锂离子电池供电的产品提供电源解决方案。TLV61048集成了一个典型电流限制为3.7 A的功率开关，可在不影响最大负载输出能力的情况下，扩展输入源的放电能力。 TLV61048可配置为600 kHz以实现更高效率，或配置为1 MHz以使用更小的电感和输出电容。在轻载情况下，器件进入PFM工作模式以实现更高效率。TLV61048内置2 ms软启动功能，可将浪涌电
NTMFS5H600NLT1G MOSFET 81000PCS，更多详情参数或规格书请联系 NTMFS5H600NLT1G 供货情况 NTMFS5H600NLT1G 产品购买 NTMFS5H600NLT1G 中文资料-数据手册-PDF资料 制造商: onsemi 产品种类: MOSFET 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOIC-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 60
NTMFS5H431NLT1G 品牌：onsemi数量：800000PCS，更多详情参数或规格书请联系 NTMFS5H431NLT1G 供货情况 NTMFS5H431NLT1G 产品购买 NTMFS5H431NLT1G 中文资料-数据手册-PDF资料 制造商: onsemi 产品种类: MOSFET 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SO-8FL-4 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿
