TI LP5907MFX-3.3 800000 PCS，参数类别 规格详情 专业解读 型号 LP5907MFX-3.3/NOPB 固定3.3V输出版本，SOT-23-5 (DBV) 小封装。 输出电压 Fixed 3.3V 为3.3V系统核心（如MCU内核、RF芯片、模拟前端）提供精准、稳定的电压。 输出电流 250mA 足以驱动大多数低功耗射频IC、传感器和模拟模块。 压差电压 110mV @ 100mA (典型) 在轻载下压差极低，即使在输入电压略高于3.4V时也能稳定工作，有助于降低系统总
CC2640R2FRGZR Texas Instruments 800000PCS，更多详情参数或规格书请联系 CC2640R2FRGZR 供货情况 CC2640R2FRGZR产品购买 CC2640R2FRGZR中文资料-数据手册-PDF资料 制造商: Texas Instruments 产品种类: 射频微控制器 - MCU RoHS: 核心: ARM Cortex M3 工作频率: 2.4 GHz 数据总线宽度: 32 bit 程序存储器大小: 128 kB
DS92LV0421SQE Texas Instruments 800000PCS ，更多详情参数或规格书请联系 DS92LV0421SQE 供货情况 DS92LV0421SQE产品购买 DS92LV0421SQE 中文资料-数据手册-PDF资料 制造商: Texas Instruments 产品种类: 串行器/解串器 - Serdes RoHS: 类型: Serializer 数据速率: 2.1 Gb/s 输入类型: LVDS 输出类型: CML 输入端数
它以其纳米级功耗、微型化方案和TI强大的工艺与技术支持，为工程师提供了一个经过市场验证的、高性能的电源“芯”脏。，型号： TLV61220DBVR 封装： SOT-23-5 (DBV) 拓扑结构： 同步升压 (Boost) 输入电压范围： 0.7V - 5.5V 输出电压： 固定 1.8V, 2.5V, 3.0V, 3.3V (可选) 输出电流： 高达 200mA (在 3.3Vout 时) 静态电流： 仅 360 nA (典型值) 峰值效率： 高达 95%_开关频率： 1.5 MHz (允
它以其坚固的“体质”、丰富的外设和成熟的生态，成为应对严苛工业环境的可靠“工兵”。，核心参数一览（专业速览） 型号： NUC131SD2AE 内核： Arm® Cortex®-M0 主频： 50 MHz 工作电压： 2.5V ~ 5.5V Flash： 64 KB SRAM： 8 KB 工业级温度： -40℃ ~ 105℃ 通信接口： USB 2.0全速设备 最多4路UART 最多2路I²C 最多2路SPI CAN 2.0B 模拟外设： 12位ADC（最快1 MSPS），1
MLX90333KDC-BCT Melexis 800000PCS，更多详情参数或规格书请联系 MLX90333KDC-BCT 供货情况 MLX90333KDC-BCT 产品购买 MLX90333KDC-BCT中文资料-数据手册-PDF资料 制造商: Melexis 产品种类: 板机接口移动感应器和位置传感器 RoHS: 产品: Position Sensors 封装 / 箱体: SOIC-8 安装风格: SMD/SMT 资格: AEC-Q100 封装: R
BSP296L6433HTMA1 60000PCS ，型号 BSP296L6433HTMA1 品牌 INFINEON/英飞凌 封装 SOT223 FET 类型 N 通道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss） 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.1A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 700 毫欧 @ 1.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最
BSP149 H6327 英飞凌 80000PCS，核心关键参数 负载电压范围： 8V 至 60V（宽压设计，适用于24V/48V工业系统） 连续输出电流： 最高 500mA 导通电阻： 典型值 0.5Ω（低导通损耗，发热小） 控制接口： 3.3V / 5V CMOS兼容的使能输入，可直接连接微控制器GPIO，无需电平转换。 集成保护功能： 过流限制： 内置，保护芯片和负载。 过载与短路保护： 通过功率限制实现。 过温关断： 结温超过阈值自动关闭，温度恢复后自动重启。 欠压锁定：
XTR111AIDGQR 80000PCS，核心关键参数 输出类型： 4-20mA 电流环路（可编程范围 0-24mA） 输入类型： 模拟电压 电源电压范围： 7.5V 至 40V（宽压设计，适应复杂供电环境） 基准电压源： 集成 +2.5V / +5V 精密基准电压，可直接为外部传感器供电。 输出精度： 非线性误差： 最大 ±0.002%_（极高线性度，保证信号不失真） 输出漂移： 典型值 ±5ppm/°C （极低的温漂，保证全温度范围内精度） 设置精度： 满量程范围内，典型误差 ±0
FM24W256-G CYPRESS 8000000PCS，核心关键参数 容量： 256 Kbit， 组织为 32,768 x 8位 （32KB） 接口： 工业标准 I²C 接口，兼容性强。 工作电压： 2.7V - 3.6V （宽压，适合3.3V系统） 速度： 时钟频率： 最高 1 MHz （Fast Mode+） 写入速度： 无延时写入。像写RAM一样，无需页写等待周期，总线释放后即完成写入。 读写耐久性： 高达 10^14 次 （100万亿次） 读写周期，比EEPROM高出多个数量
MAX487ESA+T 美信 8000000PCS，核心关键参数 接口类型： RS-485 / RS-422 工作模式： 半双工 电源电压： +4.75V to +5.25V（标准5V供电） 低功耗特性： 静态电流： 典型值 120µA 关断模式电流： 典型值 0.1µA 数据传输速率： 最高 2.5Mbps ESD 保护： ±15kV（人体模型HBM），极大地提高了系统在安装和操作过程中的可靠性。 节点数量： 最多允许 128 个收发器并接在同一总线上。 接收器输入阻抗：
ITS42008SBDAUMA1 DSO-36 800000PCS，Infineon 代理分销 ITS42008SBDAUMA1现货10k ITS42008SBDAUMA1代理 ITS42008SBDAUMA1其他参数联系客服 ITS42008SBDAUMA1停产了吗 ITS42008SBDAUMA1 现货5k ITS42008SBDAUMA1最小包装 ITS42008SBDAUMA1 PDF文件 规格书 ITS42008SBDAUMA1 最新年份是什么时候 ITS42008SBDA
2ED2109S06FXUMA1 英飞凌 800000PCS，一，核心基础参数 供电与输出能力：该器件的工作电源电压范围为 10 - 20V，峰值输出电流达 290mA，能为 IGBT 和 MOSFET 的栅极提供稳定驱动电流。其功率耗散最大值为 625mW，可在低功耗状态下保障驱动过程的稳定。 开关与延迟特性：它的最大上升时间为 150ns、最大下降时间为 80ns，快速的开关速度可减少驱动过程中的能量损耗；最大开启延迟时间 1030ns，最大关闭延迟时间 300ns，
2ED2184S06FXUMA1 是英飞凌推出的一款半桥高压高速栅极驱动器，专门适配功率 MOSFET、碳化硅 MOSFET 以及 IGBT，凭借出色的电气性能和稳定性，常用于各类需要高压驱动的电力电子场景，以下是其详细介绍：，一，核心基础参数 电压与电流能力：VS 节点最高工作电压达 650V，浮置通道适配高压侧 N 沟道功率器件的驱动需求；典型拉 / 灌电流均为 2.5A，具备强劲的驱动能力。电源电压（VCC）适用范围为 10 - 20V，同时 VS 引脚逻辑在 - 11V 直流下仍可
NTMFS5C628NLT3G，更多详情参数或规格书请联系 NTMFS5C628NLT3G 供货情况 NTMFS5C628NLT3G 产品购买 NTMFS5C628NLT3G 中文资料-数据手册-PDF资料 制造商: onsemi 产品种类: MOSFET 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SO-8FL-4 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 60 V Id-连续漏极电流:
NTMFS5C645NLT1G，更多详情参数或规格书请联系 NTMFS5C645NLT1G 供货情况 NTMFS5C645NLT1G 产品购买 NTMFS5C645NLT1G 中文资料-数据手册-PDF资料 制造商: onsemi 产品种类: MOSFET 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SO-8FL-4 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 60 V Id-连续漏极电流:
NTMFS5C646NLT1G，更多详情参数或规格书请联系 NTMFS5C646NLT1G 供货情况 NTMFS5C646NLT1G 产品购买 NTMFS5C646NLT1G 中文资料-数据手册-PDF资料 制造商: onsemi 产品种类: MOSFET 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SO-8FL-4 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 60 V Id-连续漏极电流: 8
NTMFS5C670NLT1G，更多详情参数或规格书请联系 NTMFS5C670NLT1G 供货情况 NTMFS5C670NLT1G 产品购买 NTMFS5C670NLT1G 中文资料-数据手册-PDF资料 制造商: onsemi 产品种类: MOSFET 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SO-8FL-4 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 60 V Id-连续漏极电流: 7
ITS4300SSJDXUMA1 贴片 SOIC-8 电源开关 IC - 配电 Infineon 代理分销现货商 一站式bom陪单， 产品属性 属性值 选择属性 制造商: Infineon 产品种类: 电源开关 IC - 配电 RoHS: 类型: High Side 输出端数量: 1 Output 输出电流: 400 mA 电流限制: 1.2 A 导通电阻—最大值: 300 mOhms 运行时间—最大值: 140 us 空闲时间—最大值: 170 us
ISO3082DWR 德州仪器 （TI） 80000PCS ，更多详情参数或规格书请联系 NTMFS1D3N04XMT1G 供货情况 NTMFS1D3N04XMT1G 产品购买 NTMFS1D3N04XMT1G 中文资料-数据手册-PDF资料 制造商: Texas Instruments 产品种类: 数字隔离器 RoHS: 系列: ISO3082 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOIC-16 通道数量: 1 Channel 极性:
2EDL05N06PJXUMA1 英飞凌 800000PCS，一，核心基础属性 驱动定位与配置：该器件属于高低侧半桥栅极驱动器，采用非反相驱动配置，包含 2 路独立驱动器和 2 路输出，专门适配 MOSFET 开关应用，峰值输出电流典型值达 0.7A，能稳定驱动 MOSFET 实现精准开关控制。 供电与电压耐受：供电电压范围为 10V - 17.5V，其浮动通道依托英飞凌独特的薄膜绝缘硅（SOI）技术，可承受最高 600V 电压，支持自举工作模式，同时能耐受 - 100V
TLE42644GHTSA3 Infineon 80000PCS，产品属性 属性值 选择属性 制造商: Infineon 产品种类: 低压差稳压器 RoHS: 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOT-223-4 输出电压: 5 V 输出电流: 100 mA 输出端数量: 1 Output 极性: Positive 静态电流: 60 uA 输入电压 - 最小值: 5.5 V 输入电压 - 最大值: 40 V PSRR/纹波抑制—典型值:
BSP171PE6327T INFINEON 60000PCS ，型号 BSP171PE6327T 品牌 INFINEON 封装 SOT-223 FET 类型 P 通道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss） 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.9A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 300 毫欧 @ 1.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大
SY5800BFAC 矽力杰 SOP-8 80000PCS，核心亮点 工业标准设计：采用标准SOP-8封装，兼容性强，通过RoHS环保认证，品质无忧！ 高效能转换：优化内部架构，实现高效电源转换，系统功耗直降，续航能力飙升！ 集成化方案：内部集成多重保护电路，简化外部元件，PCB占用面积减少40%！ 宽温域运行：支持工业级温度范围，-40℃~+85℃全温域稳定输出，极端环境稳如磐石！ 典型应用场景 通信设备：网络交换机、基站辅助电源模块； 工业控制：PLC控制器、传感器供电
DS92LV2421SQE/NOPB 德州仪器（TI）80000PCS ，更多详情参数或规格书请联系 DS92LV2421SQE/NOPB供货情况 DS92LV2421SQE/NOPB产品购买 DS92LV2421SQE/NOPB 中文资料-数据手册-PDF资料 制造商: Texas Instruments 产品种类: 串行器/解串器 - Serdes RoHS: 类型: Serializer 数据速率: 2.1 Gb/s 输入类型: LVCMOS 输出类型: CM
