"在800V SiC逆变器项目中，NSI8121N1的7ns延时比竞品快3倍，开关损耗降低15%" ，专业参数解析 隔离耐压：5000Vrms（UL1577认证，保障高压安全） 传输速率：200Mbps（支持高速SPI/PWM信号隔离） 通道配置：2通道（1IN/1OUT x2，支持双向数据传输） 传播延时：7ns（业界领先，精准控制时序） 工作温度：-40℃ ~ +125℃（汽车级可靠性） 功耗：1.5mA/通道（待机模式
NTMFS4C13NT1G，更多详情参数或规格书请联系 NTMFS4C13NT1G 供货情况 NTMFS4C13NT1G 产品购买 NTMFS4C13NT1G 中文资料-数据手册-PDF资料 制造商: onsemi 产品种类: MOSFET 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SO-8FL-4 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流: 38 A Rd
NTMFS4C020NT1G，更多详情参数或规格书请联系 NTMFS4C020NT1G 供货情况 NTMFS4C020NT1G 产品购买 NTMFS4C020NT1G 中文资料-数据手册-PDF资料 制造商: onsemi 产品种类: MOSFET 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SO-8FL-4 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流: 370
NTMFS4C022NT1G，更多详情参数或规格书请联系 NTMFS4C022NT1G 供货情况 NTMFS4C022NT1G 产品购买 NTMFS4C022NT1G 中文资料-数据手册-PDF资料 制造商: onsemi 产品种类: MOSFET 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SO-8FL-4 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流: 136
NTMFS4C024NT1G，更多详情参数或规格书请联系 NTMFS4C024NT1G 供货情况 NTMFS4C024NT1G 产品购买 NTMFS4C024NT1G 中文资料-数据手册-PDF资料 制造商: onsemi 产品种类: MOSFET 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SO-8FL-4 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流: 78 A
2EDN7534BXTSA1 栅极驱动器 MOSFET Gate Drivers 贴片SOT23-6 一站式bom配单，Infineon 代理分销 2EDN7534BXTSA1 现货10k 2EDN7534BXTSA1 代理 2EDN7534BXTSA1 其他参数联系客服 2EDN7534BXTSA1 停产了吗 2EDN7534BXTSA1现货5k 2EDN7534BXTSA1最小包装 2EDN7534BXTSA1 PDF文件 规格书 2EDN7534BXTSA1 最新年份是什么时候
MAX6732UTLTD3是一款由Maxim Integrated（现为Analog Devices）生产的监控电路，MAX6732UTLTD3是一款由Maxim Integrated（现为Analog Devices）生产的监控电路，其规格参数如下：基本信息： 产品类型：单/双电压微处理器监控电路，带有独立看门狗输出。 封装形式：SOT-23-6。 电源参数： 最低工作电源电压：0.8V。 最大工作电源电压：5.5V。 低电源电流：在+3.6V时典型
PC-17K1 可天士（KODENSHI）光耦芯片，PC-17K1 由知名品牌 KODENSHI 出品，批号为 2025+，采用 DIP-4 封装形式。它是一款光耦芯片，内部构造为一个砷化镓红外发光二极管搭配一个硅 NPN 光电晶体管，且仅有一个通道。其封装小巧，在电路板布局上极为灵活。从电气性能看，集电极 - 发射极电压最小值达 35V，在正向电流 IF 为 5mA、集电极 - 发射极电压 VCE 为 5V 时，电流传输比最小值是 50%，可保障信号稳定传输与转换。在电气隔离方面，隔离电压高达 AC50
TPS7B6950QDBVRQ1 主要性能指标（通常关注点） 输出电压误差（Vout accuracy）：在负载和温度范围内的稳定性 静态电流（Iq）：待机功耗，通常越低越好 瞬态响应/负载坡度（Transients）：对上/下负载跃迁的响应能力，恢复时间 噪声与 PSRR（电源抑制比）：对电源纹波的抑制性，
BSP300H6327XUSA1 60000PCS ，型号 BSP300H6327XUSA1 品牌 INFINEON 封装 SOT-223 ET 类型 N 通道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss） 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 190mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 20 欧姆 @ 190mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）4V @ 1mA
ZXRE125CFTA DIODES(美台) SOT-23 安富世纪现货供应 欢迎来电咨询，ZXRE125CFTA 品牌：美台 封装： SOT-23 工作电压：1.22V 工作电流： 20mA 类目：电压基准芯片
进口代理，制造商: Altera 产品种类: FPGA - 现场可编程门阵列 RoHS: 系列: Cyclone EPC6 逻辑元件数量: 5980 LE 嵌入式内存: 90 kbit 输入/输出端数量: 185 I/O 电源电压-最小: 1.5 V 电源电压-最大: 3.3 V 最小工作温度: 0 C 最大工作温度: + 70 C 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: FBGA-256 封装: Tray 商标: Altera 最大工
P1010NXN5HHB进口代理，制造商: NXP 产品种类: 微处理器 - MPU RoHS: 核心: e500 内核数量: 1 Core 数据总线宽度: 32 bit 最大时钟频率: 800 MHz 封装 / 箱体: TEPBGA-425 L1缓存指令存储器: 32 kB L1缓存数据存储器: 32 kB 工作电源电压: 1 V 安装风格: SMD/SMT 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: + 105 C 封装: Tray 商
2EDN7534GXTMA1 贴片TSSOP-8 栅极驱动 Infineon代理分销 集成电路 半导体，Infineon 代理分销 2EDN7534GXTMA1 代理 2EDN7534GXTMA1 其他参数联系客服 2EDN7534GXTMA1 停产了吗 2EDN7534GXTMA1 现货5k 2EDN7534GXTMA1 哪一年停产的 2EDN7534GXTMA1 最小包装 2EDN7534GXTMA1 PDF文件 规格书 2EDN7534GXTMA1 最新年份是什么时候
2034560003进口代理，制造商: Molex 产品种类: 板对板与夹层连接器 RoHS: 产品: Connectors 位置数量: 699 Position 节距: 1.3 mm (0.051 in) 排数: 11 Row 端接类型: Solder 安装角: Vertical 叠放高度: 5.5 mm 电流额定值: 1 A 电压额定值: 30 V 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 105 C 触点电镀: Gold 触点材
10M04SCU324C8G进口代理，制造商: Altera 产品种类: FPGA - 现场可编程门阵列 RoHS: 系列: MAX 10 10M04 逻辑元件数量: 4000 LE 嵌入式内存: 189 kbit 输入/输出端数量: 246 I/O 电源电压-最小: 2.85 V 电源电压-最大: 3.465 V 最小工作温度: 0 C 最大工作温度: + 85 C 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: UBGA-324 封装: Tray
IR2109STRPBF 是英飞凌科技（Infineon Technologies）推出的一款 600V 半桥栅极驱动器 IC，IR2109STRPBF 是英飞凌科技（Infineon Technologies）推出的一款 600V 半桥栅极驱动器 IC，以下将从其特点、工作原理、应用等维度展开介绍：特点高电压耐受性：能够在高达 600V 的电压下完全运行，适用于驱动高电压的 IGBT 和 MOSFET。浮动通道设计：专为自举操作设计了浮动通道，可有效驱动 N 沟道功率 MOSFE
TPS53319DQPR 是德州仪器（TI）推出的一款高性能同步降压 DC-DC 转换器，TPS53319DQPR 是德州仪器（TI）推出的一款高性能同步降压 DC-DC 转换器。以下是其详细介绍：特点宽输入电压范围：转换输入电压范围为 1.5V 至 22V，VDD 输入电压范围为 4.5V 至 25V，能适应多种电源输入条件。大输出电流能力：集成了功率 MOSFET，可提供高达 14A 的连续输出电流。高效率：在 12V 输入至 1.5V 输出、14A 负载条件下，效率可
ADM7172ACPZ-3.3-R7 微控制器、MCU 电源供电 传感器电源 嵌入式系统的低功耗区 电源管理模块的辅助稳压，
ZXRE125CFTA DIODES美台 SOT-23 现货供应 欢迎来电咨询，ZXRE125CFTA 品牌：美台 封装：SOT-23 工作电压：1.22V 工作电流：20mA 类目：电压基准芯片 ZXRE125CFTA 是美国美台半导体（Diodes Inc）公司生产的一款高精度、微功耗电压基准芯片。以下是其详细介绍： 主要特点 高精度输出：输出电压为 1.22V，容差为 ±0.5%，能够为电路提供精确的基准电压。 低功耗：工作电流范围为 8µA 至 20mA，典型温度系数
R5F100MGAFA#10 是瑞萨电子（Renesas Electronics）推出的一款 16 位微控制器，属于 RL78/G13 系列，内核与性能：搭载 RL78 内核，最高工作频率可达 32MHz，在该频率下能提供较高的处理效率，满足中小型控制应用的运算需求。 存储配置：内置 128KB 闪存（Flash）用于程序存储，10KB 数据 RAM，可支持中等规模程序代码及数据的存储与处理。 电源特性：工作电压范围为 1.6V 至 5.5V，宽电压设计使其能适配多种电源环境，包括电池供电场景。 封
原装代理，制造商: AMD 产品种类: CPLD - 复杂可编程逻辑器件 系列: XCR3512XL 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: FBGA-256 工作电源电压: 2.7 V to 3.6 V 大电池数量: 512 Macrocell 输入/输出端数量: 212 I/O 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: + 85 C 最大工作频率: 135 MHz 传播延迟—最大值: 7 ns 商标: AMD / Xilinx 存储类型:
进口代理，制造商: Renesas Electronics 产品种类: 光学传感器开发工具 RoHS: 产品: Evaluation Boards 类型: High Speed Driver 工具用于评估: ISL78365ARZ 封装: Bulk 商标: Renesas / Intersil 用于: Laser Diode Driver 产品类型: Optical Sensor Development Tools 系列: ISL78365 工厂包装数量：1
R7F0C908B2DFP-C#BA0 是瑞萨电子（Renesas）推出的一款 16 位微控制器，属于 RL78 系列。，内核与性能：采用 RL78 内核，具有高速处理性能与低功耗的特点。其高精度 ±1%_片上振荡器（TA=-20～+85℃）使 CPU 运行可达到 32MHz，在最高运行速度 32MHz 下可达到 41DMIPS。 存储容量：内置 48KB 的闪存，可用于存储程序代码和数据。 电源电压：工作电压范围为 1.6V 至 5.5V，宽电压范围使其能适应多种应用场景。 封装形式：采用 32
进口代理，制造商: Bourns 产品种类: 电池触点 RoHS: 产品: Battery Contacts 电池组电池大小: 70AD 电池数量: 4 Battery 颜色: Black 材料: Copper Alloy 安装风格: SMD/SMT 商标: Bourns 封装: Reel 封装: Cut Tape 封装: MouseReel 产品类型: Battery Contacts 系列: 70AD/Male 工厂包装数量：500
