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N-ChannelPowerMOSFET600V,3.3 | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI | ||
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N-ChannelPowerMOSFET | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI | ||
N-ChannelPowerMOSFET600V,3.6 | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI | ||
N-ChannelPowerMOSFET | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI | ||
iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=3.0A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.6Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | ||
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P03N60TO-220SmallSignalMOSFET | ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商 | ETC1 | ||
N-EnhancementModeFieldEffectTransistor | PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司 | PJSEMI |
产品属性
- 产品编号：
IKD03N60RF
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列：
TrenchStop®
- 包装：
卷带（TR）
- IGBT 类型：
沟道
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.5V @ 15V，2.5A
- 开关能量：
90µJ
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
10ns/128ns
- 测试条件：
400V，2.5A，68 欧姆，15V
- 工作温度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 供应商器件封装：
PG-TO252-3
- 描述：
IGBT 600V 5A 53.6W TO252-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
TO-252 |
2669 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
询价 | ||
Infineon |
23+ |
TO-252 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
21+ |
PG-TO252-3 |
2500 |
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询价 | ||
Infineon |
1931+ |
N/A |
2309 |
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询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
2447 |
PG-TO252-3 |
115000 |
2500个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货, |
询价 | ||
INFINEON |
1809+ |
TO252-3 |
3675 |
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询价 | ||
Infineon |
22+ |
NA |
2118 |
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询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-TO252-3 |
25000 |
原装正品,假一赔十! |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-TO252-3 |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
PG-TO252-3 |
6820 |
只做原装,质量保证 |
询价 |
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