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IKW50N60T	文件：416.69 Kbytes Page：13 Pages	Low Loss DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode 文件：416.69 Kbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKW50N60T	文件：417.9 Kbytes Page：13 Pages	Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology 文件：417.9 Kbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKW50N60T	文件：598.76 Kbytes Page：13 Pages	IGBT in TRENCHSTOP??and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode 文件：598.76 Kbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKW50N60TA	文件：951.92 Kbytes Page：14 Pages	丝印：K50T60A；Package：PG-TO247-3；Designed for DC/AC converters for Automotive Application Features: Automotive AEC Q101 qualified Designed for DC/AC converters for Automotive Application Very low VCE(sat) 1.5 V (typ.) Maximum Junction Temperature 175 °C Short circuit withstand time 5 µs TRENCHSTOPTM and Fieldstop technology for 600 V applications offers : - ve 文件：951.92 Kbytes 页数：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKW50N60T_08	文件：417.9 Kbytes Page：13 Pages	Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology 文件：417.9 Kbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKW50N60T_13	文件：598.76 Kbytes Page：13 Pages	IGBT in TRENCHSTOP??and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode 文件：598.76 Kbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKW50N60T	文件：300 bytes Page：1 Pages	分立式IGBT 600 V、50 A 硬开关 TRENCHSTOP™ IGBT3，采用TO247封装并集成了全电流的续流二极管。IGBT芯片由于结合了沟槽栅和场终止概念，显著提高了其静态和动态性能。另外，沟槽栅/场终止IGBT和发射极控制二极管的结合进一步降低了其开通损耗。由于在开关损耗和导通损耗之间采取了最佳的折衷，因此可实现最高效率。 • 更低的 VCEsat 压降可以降低导通损耗\n• 低开关损耗\n• 由于 VCEsat呈现正温度系数特性，因此易于进行器件的并联应用\n• 非常软且快速恢复的反并联发射极控制二极管\n• 具有高鲁棒性、温度稳定的特性\n• 低电磁干扰辐射\n• 低栅极电荷\n• 非常紧密的参数分布\n\n优势:\n• 高效率 - 得益于低导通和低开关损耗\n• 600 V 和 1200 V 的全面产品组合可实现设计灵活性\n• 器件可靠性高;	Infineon 英飞凌	Infineon
IKW50N60TA	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT in TRENCHSTOP™ and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode Features:\nAutomotive AEC Q101 qualified\nDesigned for DC/AC converters for Automotive Application\nVery low VCE(sat) 1.5 V (typ.)\nMaximum Junction Temperature 175 °C\nShort circuit withstand time 5 µs\nTRENCHSTOPTM and Fieldstop technology for 600 V\napplications offers :\n - very tight parameter	Infineon 英飞凌	Infineon
IKW50N60TAFKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247-3	Infineon 英飞凌	Infineon
IKW50N60TFKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247-3	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Product Status：
active and preferred
Green：
yes
Halogen-free：
undefined
Switching Frequency min：
2 kHz
Switching Frequency max：
20 kHz
Technology：
IGBT TRENCHSTOP™
Voltage Class max：
600 V
IC @ 100° max：
50 A
VCE(sat)：
1.5 V
Qualification：
Industrial
Eon：
1.2 mJ
Eoff Hard Switching：
1.4 mJ
IF max：
100 A
Qrr：
1.8 nC
Driver Selection：
5546d4694909da48014909dc0f5e0238=IGBT
Type：
IGBT + Diode
Package name：
PG-TO247-3
td(on)：
26 ns
tr：
29 ns
td(off)：
299 ns
tf：
29 ns
QGate：
310 nC
IC @ 25° max：
80 A
IFpuls max：
150 A
VF：
1.65 V
Irrm：
27.7 A
ICpuls max：
150 A
tSC：
5 µs
Soft Switching：
no

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