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IKW50N60T	文件：416.69 Kbytes Page：13 Pages	Low Loss DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKW50N60T	文件：417.9 Kbytes Page：13 Pages	Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKW50N60T	文件：598.76 Kbytes Page：13 Pages	IGBT in TRENCHSTOP??and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKW50N60TA	文件：951.92 Kbytes Page：14 Pages	Marking：K50T60A；Package：PG-TO247-3；Designed for DC/AC converters for Automotive Application Features: AutomotiveAECQ101qualified DesignedforDC/ACconvertersforAutomotiveApplication VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) MaximumJunctionTemperature175°C Shortcircuitwithstandtime5µs TRENCHSTOPTMandFieldstoptechnologyfor600V applicationsoffers: -ve	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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IKW50N60TAFKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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详细参数

型号：
IKW50N60T
功能描述：
IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 50A
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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