IKW50N60T数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
IKW50N60T |
| 参数属性 | IKW50N60T 封装/外壳为TO-247-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247-3 |
| 功能描述 | 分立式IGBT |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-7 16:52:00 |
| 人工找货 | IKW50N60T价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IKW50N60T规格书详情
描述 Description
600 V、50 A 硬开关 TRENCHSTOP™ IGBT3，采用TO247封装并集成了全电流的续流二极管。IGBT芯片由于结合了沟槽栅和场终止概念，显著提高了其静态和动态性能。另外，沟槽栅/场终止IGBT和发射极控制二极管的结合进一步降低了其开通损耗。由于在开关损耗和导通损耗之间采取了最佳的折衷，因此可实现最高效率。
特性 Features
• 更低的 VCEsat 压降可以降低导通损耗
• 低开关损耗
• 由于 VCEsat呈现正温度系数特性，因此易于进行器件的并联应用
• 非常软且快速恢复的反并联发射极控制二极管
• 具有高鲁棒性、温度稳定的特性
• 低电磁干扰辐射
• 低栅极电荷
• 非常紧密的参数分布
优势:
• 高效率 - 得益于低导通和低开关损耗
• 600 V 和 1200 V 的全面产品组合可实现设计灵活性
• 器件可靠性高
应用 Application
• 不间断电源(UPS)
• 工业加热和焊接
• 太阳能系统解决方案
• 家用电器
• 电机控制和驱动
简介
IKW50N60T属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IKW50N60T晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
：IKW50N60T
- 生产厂家
：Infineon
- Product Status
：active and preferred
- Green
：yes
- Halogen-free
：undefined
- Switching Frequency min
：2 kHz
- Switching Frequency max
：20 kHz
- Technology
：IGBT TRENCHSTOP™
- Voltage Class max
：600 V
- IC @ 100° max
：50 A
- VCE(sat)
：1.5 V
- Qualification
：Industrial
- Eon
：1.2 mJ
- Eoff Hard Switching
：1.4 mJ
- IF max
：100 A
- Qrr
：1.8 nC
- Driver Selection
：5546d4694909da48014909dc0f5e0238=IGBT|5546d4694909da48014909dc094d01c8=600.0|5546d4624933b8750149389ffe5222e1=7.0|5546d4624933b8750149389ffe6022e2=0.0|5546d4694909da48014909dc0bb301f2=IKW50N60T
- Type
：IGBT + Diode
- Package name
：PG-TO247-3
- td(on)
：26 ns
- tr
：29 ns
- td(off)
：299 ns
- tf
：29 ns
- QGate
：310 nC
- IC @ 25° max
：80 A
- IFpuls max
：150 A
- VF
：1.65 V
- Irrm
：27.7 A
- ICpuls max
：150 A
- tSC
：5 µs
- Soft Switching
：no
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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