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IGP30N60H3	文件：2.10965 Mbytes Page：14 Pages	High speed switching series third generation TRENCHSTOPtechnologyoffering •verylowturn-offenergy •lowVCEsat •lowEMI •maximumjunctiontemperature175°C •qualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplications •Pb-freeleadplating,halogen-freemouldcompound,RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IGP30N60H3	文件：269.93 Kbytes Page：2 Pages	Trench and Fieldstop IGBT DESCRIPTION ·Verylowturn-offenergy ·LowVCEsat ·Maximumjunctiontemperature175℃ ·LowEMI APPLICATIONS ·Converterswithhighswitchingfrequency ·Weldingconverters ·Uninterruptiblepowersupplies	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IGP30N60T	文件：378.54 Kbytes Page：12 Pages	LOW LOSS IGBT IN TRENCH AND FILEDSTOP TECHNOLOGY LowLossIGBTinTrenchandFieldstoptechnology •VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) •MaximumJunctionTemperature175°C •Shortcircuitwithstandtime–5µs •Designedfor: -FrequencyConverters -UninterruptiblePowerSupply •TrenchandFieldstoptechnologyfor600Vapplication	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IGP30N60T	文件：446.85 Kbytes Page：13 Pages	Low Loss IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IGP30N60T_09	文件：446.85 Kbytes Page：13 Pages	Low Loss IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IGP30N65F5	文件：1.9361 Mbytes Page：14 Pages	650V IGBT high speed switching series fifth generation	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IGP30N65H5	文件：1.93345 Mbytes Page：14 Pages	650V IGBT high speed switching series fifth generation	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IGP30N60H3XKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-220-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 60A 187W TO220-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IGP30N65F5XKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-220-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT TRENCH 650V 55A TO220-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IGP30N65H5XKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-220-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT TRENCH 650V 55A TO220-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

详细参数

型号：
IGP3
功能描述：
IGBT 晶体管 600V 30A 187W
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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