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IGP30N65F5分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

厂商型号 |
IGP30N65F5 |
参数属性 | IGP30N65F5 封装/外壳为TO-220-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT TRENCH 650V 55A TO220-3 |
功能描述 | 650V IGBT high speed switching series fifth generation |
封装外壳 | TO-220-3 |
文件大小 |
1.9361 Mbytes |
页面数量 |
14 页 |
生产厂商 | Infineon Technologies AG |
企业简称 |
INFINEON【英飞凌】 |
中文名称 | 英飞凌科技股份公司官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-6-10 22:59:00 |
人工找货 | IGP30N65F5价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
IGP30N65F5规格书详情
IGP30N65F5属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由英飞凌科技股份公司制造生产的IGP30N65F5晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
更多- 产品编号:
IGP30N65F5XKSA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列:
TrenchStop™
- 包装:
管件
- IGBT 类型:
沟道
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.1V @ 15V,30A
- 开关能量:
280µJ(开),70µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
19ns/170ns
- 测试条件:
400V,15A,23 欧姆,15V
- 工作温度:
-40°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3
- 供应商器件封装:
PG-TO220-3
- 描述:
IGBT TRENCH 650V 55A TO220-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
TO-220 |
1259 |
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询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
2021+ |
45000 |
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询价 | |||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
NA |
20094 |
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询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-TO220-3 |
25000 |
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询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
23+ |
PG-TO220-3 |
25630 |
原装正品 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-TO220-3 |
6000 |
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询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
PG-TO220-3 |
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INFINEON |
24+ |
TO-220 |
8500 |
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INFINEON |
16+ |
TO-220 |
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询价 | ||
Infineon |
23+ |
Tray |
500 |
原装正品 |
询价 |