IGP30N60T中文资料英飞凌数据手册PDF规格书
IGP30N60T规格书详情
Low Loss IGBT in Trench and Fieldstop technology
• Very low VCE(sat) 1.5 V (typ.)
• Maximum Junction Temperature 175 °C
• Short circuit withstand time – 5µs
• Designed for :
- Frequency Converters
- Uninterruptible Power Supply
• Trench and Fieldstop technology for 600 V applications offers :
- very tight parameter distribution
- high ruggedness, temperature stable behavior
- very high switching speed
- low VCE(sat)
• Positive temperature coefficient in VCE(sat)
• Low EMI
• Low Gate Charge
• Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/
产品属性
- 型号：
IGP30N60T
- 功能描述：
IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A
- RoHS：
否
- 制造商：
Fairchild Semiconductor
- 配置：
集电极—发射极最大电压
- VCEO：
650 V
- 集电极—射极饱和电压：
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
- C的连续集电极电流：
150 A
- 栅极—射极漏泄电流：
400 nA
- 功率耗散：
187 W
- 封装/箱体：
TO-247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
TO220 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
30A,600V,不带D |
20000 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
23+ |
PG-TO220-3 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO-247 |
15000 |
英飞凌MOS管、IGBT大量有货 |
询价 | ||
INFINEON |
原厂封装 |
1000 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
NA |
4500 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-TO220-3 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
PBFREE |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-TO220-3 |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
询价 |
