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IGP30N60T	文件：378.54 Kbytes Page：12 Pages	LOW LOSS IGBT IN TRENCH AND FILEDSTOP TECHNOLOGY Low Loss IGBT in Trench and Fieldstop technology • Very low VCE(sat) 1.5 V (typ.) • Maximum Junction Temperature 175 °C • Short circuit withstand time – 5µs • Designed for : - Frequency Converters - Uninterruptible Power Supply • Trench and Fieldstop technology for 600 V application 文件：378.54 Kbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
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详细参数

型号：
IGP30N60T
功能描述：
IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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