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IGP30N60T中文资料LOW LOSS IGBT IN TRENCH AND FILEDSTOP TECHNOLOGY数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IGP30N60T

功能描述

LOW LOSS IGBT IN TRENCH AND FILEDSTOP TECHNOLOGY

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-10-14 10:50:00

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技术参数

  • 型号:

    IGP30N60T

  • 功能描述:

    IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压:

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压:

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流:

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封装/箱体:

    TO-247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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