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IGOT65R025D2中文资料CoolGaN™ Transistor 650 V G5数据手册Infineon规格书
IGOT65R025D2规格书详情
特性 Features
• 650 V e-mode power transistor
• Ultrafast switching
• No reverse-recovery charge
• Capable of reverse conduction
• Low gate charge, low output charge
• Superior commutation ruggedness
• Low dynamic RDS(on)
• High ESD robustness: 2 kV HBM - 1 kV CDM
• Top-side cooled package
• JEDEC qualified (JESD47, JESD22)
优势:
• Supports high operating frequency
• Enables highest system efficiency
• Enables ultrahigh power density designs
• Supports BOM cost savings
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
NA/ |
2435 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
1A,1200V,不带D |
20000 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
06+ |
TO-220 |
3000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO-220 |
9000 |
专业配单,原装正品假一罚十,代理渠道价格优 |
询价 | ||
Infineon |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-TO-220 |
12300 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 | ||
INFINEON |
23+24 |
TO-220 |
49820 |
主营全系列二三极管、MOS场效应管、 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO-220 |
8500 |
原厂原包原装公司现货,假一赔十,低价出售 |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
P-TO220-3-1 |
8866 |
询价 |
