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IGOT65R025D2数据手册Infineon中文资料规格书

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厂商型号

IGOT65R025D2

功能描述

CoolGaN™ Transistor 650 V G5

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-6 12:29:00

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IGOT65R025D2规格书详情

特性 Features

• 650 V e-mode power transistor
• Ultrafast switching
• No reverse-recovery charge
• Capable of reverse conduction
• Low gate charge, low output charge
• Superior commutation ruggedness
• Low dynamic RDS(on)
• High ESD robustness: 2 kV HBM - 1 kV CDM
• Top-side cooled package
• JEDEC qualified (JESD47, JESD22)

优势:
• Supports high operating frequency
• Enables highest system efficiency
• Enables ultrahigh power density designs
• Supports BOM cost savings

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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