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IGP20N65H5数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

IGP20N65H5

参数属性

IGP20N65H5 封装/外壳为TO-220-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 650V 42A TO220-3

功能描述

分立式IGBT
IGBT 650V 42A TO220-3

封装外壳

TO-220-3

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 18:04:00

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IGP20N65H5规格书详情

描述 Description

英飞凌的新型TRENCHSTOP™5 IGBT 技术在硬开关应用中提供无与伦比的高效性能,重新界定了“业界卓著”IGBT。该新系列是IGBT 创新的一个重大突破,以满足市场未来对高效率的需求。

特性 Features

• 650V 击穿电压
• 对比英飞凌业界卓著的“HighSpeed 3”系列
• Qg系数降低2.5倍
• 开关损耗系数降低2倍
• VCE (sat)减少了200mV
• 低COES/EOSS
• 温和正温度系数VCE (sat)
• Vf的温度稳定性

优势:
• 具有出色的效率,降低结温和外壳温度,从而提高设备可靠性
• 母线电压可提升50V,同时不影响可靠性
• 更高的功率密度设计

应用 Application

• 不间断电源
• 焊接

简介

IGP20N65H5属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IGP20N65H5晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :IGP20N65H5

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Product Status

    :active and preferred

  • Green

    :yes

  • Halogen-free

    :yes

  • Switching Frequency min

    :30 kHz

  • Switching Frequency max

    :100 kHz

  • Technology

    :IGBT TRENCHSTOP™ 5

  • Voltage Class max

    :650 V

  • IC @ 100° max

    :21 A

  • VCE(sat)

    :1.65 V

  • Qualification

    :Industrial

  • Eon

    :0.17 mJ

  • Eoff Hard Switching

    :0.06 mJ

  • Driver Selection

    :5546d4694909da48014909dc0f5e0238=IGBT|5546d4694909da48014909dc094d01c8=650.0|5546d4624933b8750149389ffe5222e1=32.0|5546d4624933b8750149389ffe6022e2=0.0|5546d4694909da48014909dc0bb301f2=IGP20N65H5

  • Type

    :IGBT

  • Package name

    :PG-TO220-3

  • td(on)

    :16 ns

  • tr

    :3 ns

  • td(off)

    :168 ns

  • tf

    :36 ns

  • QGate

    :48 nC

  • IC @ 25° max

    :42 A

  • ICpuls max

    :60 A

  • tSC

    :0 µs

  • Soft Switching

    :no

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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