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IGP20N65H5	文件：300 bytes Page：1 Pages	分立式IGBT 英飞凌的新型TRENCHSTOP™5 IGBT 技术在硬开关应用中提供无与伦比的高效性能，重新界定了“业界卓著”IGBT。该新系列是IGBT 创新的一个重大突破，以满足市场未来对高效率的需求。 • 650V 击穿电压\n• 对比英飞凌业界卓著的“HighSpeed 3”系列\n• Qg系数降低2.5倍\n• 开关损耗系数降低2倍\n• VCE (sat)减少了200mV\n• 低COES/EOSS\n• 温和正温度系数VCE (sat)\n• Vf的温度稳定性\n\n优势:\n• 具有出色的效率，降低结温和外壳温度，从而提高设备可靠性\n• 母线电压可提升50V，同时不影响可靠性\n• 更高的功率密度设计;	Infineon 英飞凌	Infineon
IGP20N65H5	文件：2.05567 Mbytes Page：14 Pages	650V IGBT high speed switching series fifth generation 文件：2.05567 Mbytes 页数：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IGP20N65H5XKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 650V 42A TO220-3	Infineon 英飞凌	Infineon
IKP20N65H5	文件：2.29344 Mbytes Page：17 Pages	650V DuoPack IGBT and Diode High speed switching series fifth generation 文件：2.29344 Mbytes 页数：17 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

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更多IGP20N65H5供应商更新时间2025-10-9 23:00:00