IGBT 分立器件

英飞凌的 TRENCHSTOP™ 5 Auto IGBT 技术重新定义了“同类最佳”IGBT，为硬开关应用提供无与伦比的效率。 新系列是 IGBT 创新的重大突破，可满足未来市场对高效率的需求。 • 650 V 击穿电压\n• 与我们的 HighSpeed 3 系列相比\n• Qg\n• 开关损耗降低 2 倍\n• VCE(sat)\n• 低 COES/EOSS\n• 温和阳性。温度。 系数。VCE(sat)\n• Vf\n 的温度稳定性;

Infineon

英飞凌

LOW LOSS IGBT IN TRENCH AND FILEDSTOP TECHNOLOGY

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Package：TO-220-3；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 600V 60A 187W TO220-3

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Package：TO-220-3；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT TRENCH 650V 55A TO220-3

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Package：TO-220-3；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT TRENCH 650V 55A TO220-3

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