| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
留言
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英飞凌N/A |
1500 |
新批次 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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INFINEONPG-TO220-3 |
500 |
23+ |
原装现货支持送检 |
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深圳市瑞智芯科技有限公司3年
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InfineonN/A |
20 |
22+ |
订货库存 只做原装 |
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深圳市华高宇电子有限公司1年
留言
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500 |
18+ |
TO-220-3 |
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深圳市英科美电子有限公司9年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
17413 |
2021+ |
原装进口假一罚十 |
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深圳市安博威科技有限公司4年
留言
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INFINEONTO-220-3 |
500 |
21+ |
原装正品 有挂有货 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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英飞翎TO-220 |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
2000 |
17+ |
进口原装假一赔十支持含税 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌TO220 |
2000 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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Infineon TechnologiesTO-220-3 |
30000 |
24+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-220 |
1259 |
23+ |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
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深圳市安博威科技有限公司4年
留言
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INFINEONTO-220-3 |
500 |
18+ |
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深圳市正纳电子有限公司11年
留言
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Infineon(英飞凌)NA |
20094 |
23+ |
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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深圳市华博特电子有限公司6年
留言
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INFINEONTO220 |
2000 |
23/22+ |
全线可订货.含税开票 |
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深圳市赛特兴科技有限公司3年
留言
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Infineon(英飞凌)标准封装 |
7000 |
23+ |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市朱博士电子科技有限公司14年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-220-3 |
50000 |
2335 |
只做原装优势现货库存,渠道可追溯 |
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深圳市斌能达电子科技有限公司7年
留言
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Infineon/英飞凌PG-TO220-3 |
6000 |
2023+ |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
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深圳市柏芯特电子科技有限公司1年
留言
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4500 |
2023 |
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公司原装现货/支持实单 |
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深圳市中赛美电子科技有限公司8年
留言
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Infineon/英飞凌PG-TO220-3 |
12700 |
23+ |
买原装认准中赛美 |
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IGP3图片
IGP30N60H3价格
IGP30N60H3价格：￥9.3867品牌：Infineon
生产厂家品牌为Infineon的IGP30N60H3多少钱，想知道IGP30N60H3价格是多少？参考价：￥9.3867。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IGP30N60H3批发价格及采购报价，IGP30N60H3销售排行榜及行情走势，IGP30N60H3报价。
IGP30N65H5中文资料Alldatasheet PDF
更多IGP3制造商:Hubbell Premise Wiring
IGP30N60H3功能描述:IGBT 晶体管 600V 30A 187W RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IGP30N60H3XKSA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT 600V 60A 187W TO220-3
IGP30N60T功能描述:IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IGP30N60T_09制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:Low Loss IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology
IGP30N65H5XKSA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Rail/Tube
IGP3R制造商:SPACE AGE ELECTRONICS 功能描述:IGP PLATE 3 GANG RED /
IGP3W制造商:SPACE AGE ELECTRONICS 功能描述:IGP PLATE 3 GANG WHITE /
IGP3Y制造商:SPACE AGE ELECTRONICS 功能描述:IGP PLATE 3 GANG YELLOW /
