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IRF1010EZS	文件：285.31 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description ThisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturescombi	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010EZS	文件：299.58 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF1010EZS	文件：287.5 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=8.5mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF1010EZSPBF	文件：285.31 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description ThisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturescombi	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010EZSPBF	文件：413.46 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnology Description ThisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturescombi	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010EZSTRLP	文件：413.46 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnology Description ThisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturescombi	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010N	文件：211.92 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=11mohm,Id=85A?? VDSS=55V RDS(on)=11mΩ ID=85A Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesig	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010N	文件：338.85 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF1010NL	文件：146.82 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=11mohm,Id=85A?? Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
HV1010
制造商：
Apex Tool Group
功能描述：
1/2 IN. X 10 FT HI-VIZ ORANGE SERIES 1000 POWER TAPE
制造商：
Lufkin
功能描述：
TAPE MEASURE, POWER RETURN, 10FT, 1/2IN; Tape Measure
Type：
Manual; Measuring Range
Max：
10ft; Blade
Width：
0.5"; Case
Color：
Orange; Blade
Finish：
Yellow Clad; Blade
Length：
10ft ;RoHS
Compliant：
NA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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