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HUF75823D3S	文件：211.87 Kbytes Page：10 Pages	14A, 150V, 0.150 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET Features • Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.150Ω, VGS = 10V • Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE® and SABER™ Electrical Models - Spice and SABER Thermal Impedance Models - www.fairchildsemi.com • Peak Current vs Pulse Width Curve • UIS Rating Curve 文件：211.87 Kbytes 页数：10 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
HUF75823D3S	文件：186.86 Kbytes Page：11 Pages	14A, 150V, 0.150 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET Features • Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.150Ω, VGS = 10V • Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE™ and SABER© Electrical Models - Spice and SABER© Thermal Impedance Models - www.intersil.com • Peak Current vs Pulse Width Curve • UIS Rating Curve 文件：186.86 Kbytes 页数：11 Pages	INTERSIL	INTERSIL
HUF75823D3S	文件：300 bytes Page：1 Pages	14A, 150V, 0.150 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET	Renesas 瑞萨	Renesas
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详细参数

型号：
HUF75823D3S
功能描述：
MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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