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HGTP7N60B3D数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

HGTP7N60B3D

参数属性

HGTP7N60B3D 封装/外壳为TO-220-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 14A 60W TO220AB

功能描述

IGBT 600V 14A 60W TO220AB

封装外壳

TO-220-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-11 22:51:00

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HGTP7N60B3D规格书详情

简介

HGTP7N60B3D属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的HGTP7N60B3D晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :HGTP7N60B3D

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    :600V

  • 电流 - 集电极(Ic)(最大值)

    :14A

  • 脉冲电流 - 集电极 (Icm)

    :56A

  • 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)

    :2.1V @ 15V,7A

  • 功率 - 最大值

    :60W

  • 开关能量

    :160µJ(开),120µJ(关)

  • 输入类型

    :标准

  • 栅极电荷

    :23nC

  • 25°C 时 Td(开/关)值

    :26ns/130ns

  • 测试条件

    :480V,7A,50欧姆,15V

  • 反向恢复时间(trr)

    :37ns

  • 工作温度

    :-55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型

    :通孔

  • 封装/外壳

    :TO-220-3

  • 供应商器件封装

    :TO-220-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ROHM
23+
SOT323
12000
全新原装假一赔十
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2015+
TO220
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原装原包假一赔十
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只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718
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全新原厂原装正品现货 欢迎咨询
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