HGTP12N60C3D中文资料600V, UFS IGBT数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

此MOS栅极高压开关器件系列充分融合了MOSFET和双极性晶体管的最佳功能。 该器件具有 MOSFET 的高输入阻抗以及双极晶体管的低通态导通损耗。 低得多的通态压降仅在25°C到150°C之间适度变化。 使用的IGBT是开发类型TA49123。 反平行与IGBT中使用的二极管是开发类型TA49188。该IGBT非常适合许多工作频率中等，而低传导损耗又至关重要的高压开关应用。以前的开发类型为TA49182。

特性 Features

•24 A、600 V，需 TC = 25°C
•TJ = 150°C 时的典型下降时间................210 ns
•短路额定值
•低导通损耗
•超快速反并联二极管

应用 Application

其他工业

简介

HGTP12N60C3D属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的HGTP12N60C3D晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。