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HGTG30N60B3D中文资料60A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode数据手册Renesas规格书

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厂商型号

HGTG30N60B3D

参数属性

HGTG30N60B3D 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 60A TO247-3

功能描述

60A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

封装外壳

TO-247-3

制造商

Renesas Renesas Technology Corp

中文名称

瑞萨 瑞萨科技有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-27 17:30:00

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技术参数

  • 产品编号:

    HGTG30N60B3D

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.9V @ 15V,30A

  • 开关能量:

    550µJ(开),680µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    36ns/137ns

  • 测试条件:

    480V,30A,3 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT 600V 60A TO247-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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