HGTP12N60A4D数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

描述 Description

HGTP12N60A4D 结合了 MOSFET 的高输入阻抗，以及双极晶体管的低导通状态损耗最佳特性。此 IGBT 适用于务必保证低导通损耗的、在高频率下运行的多种高电压开关应用。该器件适用于 UPS 和焊接机等快速开关应用。

特性 Features

•23A, 600V @ TC = 110°C
•低饱和电压：V CE(sat) = 2.0 V，需 I C = 12 A
•典型下降时间............TJ = 125°C时为70ns
•低传导损耗

应用 Application

• 不间断电源

简介

HGTP12N60A4D属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的HGTP12N60A4D晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。