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HGTP7N60B3D 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 ONSEMI/安森美半导体

HGTP7N60B3D参考图片

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1+
  • 厂家型号:

    HGTP7N60B3D

  • 产品分类:

    芯片

  • 生产厂商:

    ON/安森美

  • 库存数量:

    336

  • 产品封装:

    TO-220

  • 生产批号:

    2410+

  • 库存类型:

    优势库存

  • 更新时间:

    2025-8-1 13:10:00

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原厂料号:HGTP7N60B3D品牌:ON/安森美

原装正品.假一赔百.正规渠道.原厂追溯.

HGTP7N60B3D是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商ON/安森美/onsemi生产封装TO-220/TO-220-3的HGTP7N60B3D晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

  • 芯片型号:

    HGTP7N60B3D

  • 规格书:

    下载 下载2

  • 企业简称:

    INTERSIL详情

  • 厂商全称:

    Intersil Corporation

  • 内容页数:

    7 页

  • 文件大小:

    94.32 kb

  • 资料说明:

    14A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs with Anti-Parallel Hyperfast Diode

产品属性

更多
  • 类型

    描述

  • 型号

    :HGTP7N60B3D

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    :600V

  • 电流 - 集电极(Ic)(最大值)

    :14A

  • 脉冲电流 - 集电极 (Icm)

    :56A

  • 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)

    :2.1V @ 15V,7A

  • 功率 - 最大值

    :60W

  • 开关能量

    :160µJ(开),120µJ(关)

  • 输入类型

    :标准

  • 栅极电荷

    :23nC

  • 25°C 时 Td(开/关)值

    :26ns/130ns

  • 测试条件

    :480V,7A,50欧姆,15V

  • 反向恢复时间(trr)

    :37ns

  • 工作温度

    :-55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型

    :通孔

  • 封装/外壳

    :TO-220-3

  • 供应商器件封装

    :TO-220-3

供应商

  • 企业:

    深圳市向鸿伟业电子有限公司

  • 商铺:

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  • 联系人:

    李先生

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    13751179224

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