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HGTP7N60B3D 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 ONSEMI/安森美半导体
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原厂料号:HGTP7N60B3D品牌:ON/安森美
原装正品.假一赔百.正规渠道.原厂追溯.
HGTP7N60B3D是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商ON/安森美/onsemi生产封装TO-220/TO-220-3的HGTP7N60B3D晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
更多- 类型
描述
- 型号
:HGTP7N60B3D
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
:600V
- 电流 - 集电极(Ic)(最大值)
:14A
- 脉冲电流 - 集电极 (Icm)
:56A
- 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)
:2.1V @ 15V,7A
- 功率 - 最大值
:60W
- 开关能量
:160µJ(开),120µJ(关)
- 输入类型
:标准
- 栅极电荷
:23nC
- 25°C 时 Td(开/关)值
:26ns/130ns
- 测试条件
:480V,7A,50欧姆,15V
- 反向恢复时间(trr)
:37ns
- 工作温度
:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型
:通孔
- 封装/外壳
:TO-220-3
- 供应商器件封装
:TO-220-3
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