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HGTP5N120BND数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

HGTP5N120BND

功能描述

1200V,NPT IGBT

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-11 23:01:00

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HGTP5N120BND规格书详情

描述 Description

HGTP5N120BND 基于无通冲孔 (NPT) IGBT 设计。此 IGBT 适用于低导通损耗至关重要的、在中等频率下运行的多种高电压开关应用,如 UPS、太阳能逆变器和电机控制。

特性 Features

•10A, 1200V @ TC = 110°C
•低饱和电压:V CE(sat) = 2.45 V,需 I C = 5 A
•典型下降时间。. . . . . . . . . . . . . . . TJ= 150°C时为175ns
•短路额定值
•低传导损耗

应用 Application

• 不间断电源

技术参数

  • 型号:

    HGTP5N120BND

  • 功能描述:

    IGBT 晶体管 21a 1200V IGBT NPT Series N-Ch

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压:

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压:

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流:

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封装/箱体:

    TO-247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
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