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IRF520	文件：798.54 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,11A,60-100V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandotherpulsecircuits. •LowRDs	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF520	文件：200.94 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Designedespeciallyforhighvoltage,highspeedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddrivers. •FEATURES •LowRDS(on) •VGSRatedat±20V •SiliconGateforFastSwitchingSpeed •Rugged •LowDriveRequire	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF520	文件：338.75 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMosfets,	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP
IRF520	文件：798.54 Kbytes Page：3 Pages	IRF120-123/IRF520-523MTP10N08/10N10N-ChannelPowerMOSFETs Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandotherpulsecircuits. •LowRDs	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF520	文件：798.54 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,11A,60-100V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandotherpulsecircuits. •LowRDs	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF520	文件：282 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF520A	文件：243.94 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■175°COperatingTemperature ■LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V ■LowerRDS(ON):0.155Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF520A	文件：280.41 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF520FI	文件：181.76 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTORS N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTORS ■TYPICALRDS(on)=0.23Ω ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100°C ■LOWGATECHARGE ■HIGHCURRENTCAPABILITY ■175°COPERATINGTEMPERATURE APPLICATIONS ■HIGHCURRENT,HIGHSPE	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
IRF520FI	文件：55.23 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •HighCurrent,HighSpeedSwitching •DC-DC&DC-ACConverters •MotorControl,AudioAmplifiers •FEATURES •TypicalRDS(on)=0.23Ω •AvalancheRuggedTechnology •HighCurrentCapability •LowGateCharge •175℃OperatingTemperature	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF520L	文件：185.16 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.20ohm,Id=9.7A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF520N	文件：116.9 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.20Ohm,Id=9.7A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF520N	文件：294.54 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF520NL	文件：1.09122 Mbytes Page：10 Pages	Low-profilethrough-hole(IRF520NL) Description TheD2PakisasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprovidesthehighestpowercapabilityandthelowestpossibleon-resistanceinanyexistingsurfacemountpackage.TheD2Pakissuitableforhighcurrentapplicationsbecauseofitslowin	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF520NL	文件：195.99 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF520NL	文件：300.27 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF520NLPBF	文件：414.57 Kbytes Page：11 Pages	FASTSWITCHING	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF520NLPBF	文件：405.26 Kbytes Page：10 Pages	Advamced{rpcessTechnologySurfaceMount Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF520NPBF	文件：178.07 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF520NPBF	文件：1.69112 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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详细参数

型号：
HCPL-520K
功能描述：
高速光耦合器 1Ch 8mA 200mW Hermetically sealed
RoHS：
否
制造商：
Avago Technologies
最大正向二极管电压：
1.75 V
最大反向二极管电压：
5 V
最大功率耗散：
40 mW
最大工作温度：
+125 C
最小工作温度：
- 40 C
封装/箱体：
SOIC-5
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中科航电(深圳)半导体技术有限公司	HCPL-520K	AVAGO		DIP	550	价格优势!军工IC一级分销商!可开增值税发票!	询价
深圳市旺财半导体有限公司	HCPL-520K	Broadcom/Avago	23+		21500		询价
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瑞航达科技(深圳)有限公司	HCPL-5210			最新	2000	原装正品现货	询价
深圳市芯福林电子科技有限公司	HCPL-5210	AVAGO/安华高	21+	CLCC	13880	公司只售原装,支持实单	询价
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深圳市凯盛恒创科技有限公司	HCPL-5210	AVAGO/安华高	23+	CLCC	68889	一站式BOM配单	询价
深圳中芯器材有限公司	HCPL5230	avago	dc0910	原厂封装	9	INSTOCK:25/tube/dip8	询价
深圳市勤思达科技有限公司	HCPL-5230	AVA	23+		540	原装现货,欢迎咨询	询价
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