IRF520N中文资料IRF数据手册PDF规格书
IRF520N规格书详情
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
• Advanced Process Technology
• Dynamic dv/dt Rating
• 175°C Operating Temperature
• Fast Switching
• Fully Avalanche Rated
产品属性
- 型号：
IRF520N
- 功能描述：
MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-220AB
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
HEXFET®
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO-220 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
IR |
21+ |
TO-220 |
12588 |
原装正品,自己库存 假一罚十 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO220 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-220 |
74845 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
IR |
19+ |
TO-263 |
74555 |
原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂； |
询价 | ||
VBSEMI/台湾微碧 |
22+ |
TO-220AB |
20000 |
深圳原装现货正品有单价格可谈 |
询价 | ||
IR |
2020+ |
TO220 |
20 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
询价 | ||
IR |
2015+ |
TO-220AB |
12500 |
全新原装,现货库存长期供应 |
询价 | ||
IR |
25+23+ |
TO-220 |
25650 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
IR |
25+ |
TO220 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 |
