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HAT2033	文件：56.68 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching Features • For Automotive Application ( at Type Code “J “) • Low on-resistance • Capable of 4 V gate drive • High density mounting 文件：56.68 Kbytes 页数：10 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
HAT2033	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching • For Automotive Application ( at Type Code “J “)\n• Low on-resistance\n• Capable of 4 V gate drive\n• High density mounting ;	HITACHI 日立	HITACHI
HAT2033R	文件：96.21 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching Features • For Automotive Application (at Type Code “J”) • Low on-resistance • Capable of 4 V gate drive • High density mounting 文件：96.21 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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HAT2033R	文件：1.27547 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.27547 Mbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
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详细参数

型号：
HAT2033
制造商：
HITACHI
制造商全称：
Hitachi Semiconductor
功能描述：
Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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