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HAT2089R-EL-E	文件：58.36 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：58.36 Kbytes 页数：4 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
ISG2089	文件：342.49 Kbytes Page：2 Pages	High-Speed IGBT DESCRIPTION · High Current Handling Capability · Positive Thermal Coefficient of Vce(sat) · Anti-Parallel Ultra Fast Diode · Optimized for Low Switching Losses APPLICATIONS · High Power Density · Low Gate Drive Requirement 文件：342.49 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
PB2089NL	文件：249.62 Kbytes Page：6 Pages	HIGH FREQUENCY WIRE WOUND TRANSFORMERS 文件：249.62 Kbytes 页数：6 Pages	pulse	pulse
PB2089NL	文件：279.97 Kbytes Page：6 Pages	HIGH FREQUENCY WIRE WOUND TRANSFORMERS EFD20 Platforms - SMT 文件：279.97 Kbytes 页数：6 Pages	pulse	pulse

详细参数

型号：
HAT2089R-EL-E
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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更多HAT2089R-EL-E供应商更新时间2025-12-24 11:09:00

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