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HAT2160H-EL-E	文件：90.33 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching Features • Capable of 4.5 V gate drive • Low drive current • High density mounting • Low on-resistance RDS(on) = 2.1 mΩ typ. (at VGS = 10 V) 文件：90.33 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
HB2160A	文件：373.91 Kbytes Page：1 Pages	DATA SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTLCE 文件：373.91 Kbytes 页数：1 Pages	HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited 哈蒙德哈蒙德制造有限公司	HAMMOND
HB2160A	文件：110.55 Kbytes Page：1 Pages	Rack Mount Intake Blowers Features Standard 19 rack mount Air delivery from more than 50 of their 17 width Internal neoprene isolation mounts reduce transmission of vibration to the rack Air intake only, to pressurize the rack with filtered air Heavy steel construction Attractive 19 stainless steel grille included 1 文件：110.55 Kbytes 页数：1 Pages	HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited 哈蒙德哈蒙德制造有限公司	HAMMOND
HF2160	文件：135.48 Kbytes Page：4 Pages	MINIATURE HIGH POWER RELAY 文件：135.48 Kbytes 页数：4 Pages	HONGFA 宏发电声	HONGFA

详细参数

型号：
HAT2160H-EL-E
功能描述：
MOSFET N-CH 20V 60A LFPAK
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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更多HAT2160H-EL-E供应商更新时间2025-12-24 10:45:00

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