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|---|---|---|---|---|
HAT2165H-EL-E | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching 文件：89.36 Kbytes 页数：8 Pages | RENESAS 瑞萨 | RENESAS | |
Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching Features • High speed switching • Capable of 4.5 V gate drive • Low drive current • High density mounting • Low on-resistance RDS(on) = 2.8 mΩ typ. (at VGS = 10 V) 文件：154.51 Kbytes 页数：7 Pages | RENESAS 瑞萨 | RENESAS | ||
Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching 文件：117.22 Kbytes 页数：7 Pages | RENESAS 瑞萨 | RENESAS | ||
Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching 文件：117.22 Kbytes 页数：7 Pages | RENESAS 瑞萨 | RENESAS |
详细参数
- 型号：
HAT2165H-EL-E
- 功能描述：
MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK
- RoHS：
是
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
-
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Renesas(瑞萨) |
24+ |
标准封装 |
12048 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
25+ |
SOT669 |
32360 |
RENESAS/瑞萨全新特价HAT2165H-EL-E即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
Renesas(瑞萨) |
23+ |
原厂封装 |
32078 |
10年以上分销商,原装进口件,服务型企业 |
询价 | ||
RENESAS |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
2450+ |
SOT-669 |
9850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
RENEASAS |
24+ |
SMD |
2500 |
询价 | |||
RENESAS |
2016+ |
SOT669 |
1000 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
询价 | ||
RENES |
23+ |
SOT-669 |
5500 |
现货,全新原装 |
询价 | ||
RENESAS |
25+ |
LFPAK |
2850 |
强调现货,随时查询! |
询价 | ||
RENESAS |
25+ |
SOT669P |
174 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
询价 |
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